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龙图腾网恭喜中芯热成科技(北京)有限责任公司申请的专利红外偏振器件的制备方法及红外偏振器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411199718.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权红外偏振器件的制备方法及红外偏振器件是由刘雁飞;陈雯雯设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本红外偏振器件的制备方法及红外偏振器件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种红外偏振器件的制备方法及红外偏振器件，该制备方法包括：提供基底；基底的一侧形成有第一电极；在第一电极背离基底的一侧形成具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构；第一量子点探测结构为物理成型；在第一量子点探测结构背离第一电极的一侧沉积形成光栅阵列结构；其中，光栅阵列结构复用为第二电极。如此，通过在具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构上沉积形成光栅阵列结构，不会对第一量子点探测结构的化学性质造成损害，利于提升红外偏振器件的偏振探测性能。

本发明授权红外偏振器件的制备方法及红外偏振器件在权利要求书中公布了：1.一种红外偏振器件的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；所述基底的一侧形成有第一电极；在所述第一电极背离所述基底的一侧形成具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构；所述第一量子点探测结构为物理成型；在所述第一量子点探测结构背离所述第一电极的一侧沉积形成光栅阵列结构；其中，所述光栅阵列结构复用为第二电极；还包括：在所述光栅阵列结构背离所述第一量子点探测结构的一侧依次形成N型掺杂层、本征型量子点层以及P型掺杂层，得到第二量子点探测结构；其中，所述第二量子点探测结构用于对非偏振的红外光进行光电响应，且对所述非偏振的红外光具有预设透过率；所述在所述第一电极背离所述基底的一侧形成具有预设凹凸图案的第一量子点探测结构，包括：采用旋涂或喷涂的工艺在所述第一电极背离所述基底的一侧依次形成N型掺杂层和本征型量子点层；采用纳米压印工艺对所述本征型量子点层进行压印处理，形成具有预设凹凸图案的所述本征型量子点层；采用旋涂或喷涂的工艺在所述本征型量子点层背离所述N型掺杂层的一侧形成P型掺杂层。

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