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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种基于电容堆叠的浮动反相放大器及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119154820B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411598956.6，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权一种基于电容堆叠的浮动反相放大器及其应用是由谭志超;陈伟强设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电容堆叠的浮动反相放大器及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电容堆叠的浮动反相放大器，其通过电容堆叠的方式将浮动反相放大器电源提升到了2倍VDD；在这种条件下，反相器中的晶体管可以更好地导通，并可使共源共栅结构应用到低电源电压的反相放大器中。此外，使用本发明浮动反相放大器的ADC系统能够处理共模电压为VDD幅度达2倍VDD的输入信号，能够有效解决超低电压下输入信号幅度降低的问题，提升系统信噪比。

本发明授权一种基于电容堆叠的浮动反相放大器及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于电容堆叠的浮动反相放大器，其特征在于：包括差分结构的反相器以及电容充放电阵列，所述电容充放电阵列利用先复位后首尾相接堆叠的两个电容对反相器进行供电；所述反相器包括两个PMOS管M1和M2、两个NMOS管M3和M4以及两个开关S8和S9，其中M1的源极与M2的源极相连并接电容充放电阵列的浮动电源轨，M3的源极与M4的源极相连并接电容充放电阵列的浮动地轨，M1的漏极与M3的漏极以及S8的一端相连作为反相器的反相输出端，M2的漏极与M4的漏极以及S9的一端相连作为反相器的正相输出端，M1的栅极与M3的栅极相连作为反相器的正相输入端，M2的栅极与M4的栅极相连作为反相器的反相输入端，S8的另一端与S9的另一端相连并接电源电压VDD，开关S8和S9的通断受时钟信号φ1控制；作为另一种实现方式，所述反相器基于共源共栅结构，其包括六个PMOS管M1、M2、M5、M6、M7、M8、六个NMOS管M3、M4、M9、M10、M11、M12以及两个开关S8和S9，其中M1的源极与M2的源极相连并接电容充放电阵列的浮动电源轨，M1的漏极与M5的源极以及M6的源极相连，M2的漏极与M7的源极以及M8的源极相连，M3的源极与M4的源极相连并接电容充放电阵列的浮动地轨，M3的漏极与M9的源极以及M10的源极相连，M4的漏极与M11的源极以及M12的源极相连，M5的漏极与M6的漏极、M9的漏极、M10的漏极以及S8的一端相连作为反相器的反相输出端，M7的漏极与M8的漏极、M11的漏极、M12的漏极以及S9的一端相连作为反相器的正相输出端，M1的栅极与M3的栅极、M5的栅极、M8的栅极、M9的栅极以及M12的栅极相连作为反相器的正相输入端，M2的栅极与M4的栅极、M6的栅极、M7的栅极、M10的栅极以及M11的栅极相连作为反相器的反相输入端，S8的另一端与S9的另一端相连并接电源电压VDD，开关S8和S9的通断受时钟信号φ1控制；所述电容充放电阵列包括七个开关S1～S7以及两个电容CRES1和CRES2，其中S1的一端接电源电压VDD，S1的另一端与CRES1的一端以及S6的一端相连，S2的一端接电源电压VDD，S2的另一端与CRES2的一端以及S5的一端相连，S5的另一端为电容充放电阵列的浮动电源轨，S6的另一端与CRES2的另一端以及S4的一端相连，S4的另一端接地，CRES1的另一端与S3的一端以及S7的一端相连，S3的另一端接地，S7的另一端为电容充放电阵列的浮动地轨，开关S1～S4的通断受时钟信号φ1控制，开关S5～S7的通断受时钟信号φ2控制。

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