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龙图腾网恭喜深圳市朗帅科技有限公司申请的专利一种功率MOS管的响应速率测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119291444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411823206.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种功率MOS管的响应速率测试方法及系统是由赵金跃;邓家榆;孟祥辉;陈妮妮;程江兰;王飞设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率MOS管的响应速率测试方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率MOS管的响应速率测试方法及系统，涉及功率半导体器件测试技术领域，包括：设置MOS管的工作参数，模拟其在实际应用中的工作环境；通过光学微干涉仪捕捉MOS管在开关过程中产生的电荷分布和热效应，获得初始的时域响应数据；将时域响应数据转化为频域数据，得到频率响应特性；结合时域响应数据和频域数据，对MOS管在不同频率、不同工作条件下的响应速率进行全面评估，生成动态响应速率报告；根据动态响应速率报告构建响应速率预测模型，通过历史数据训练并优化响应速率预测模型，将MOS管的工作参数输入响应速率预测模型，预测未来一段时间MOS管的响应速率；将实际测试结果与预测结果进行对比，根据误差动态调整MOS管的工作参数。

本发明授权一种功率MOS管的响应速率测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种功率MOS管的响应速率测试方法，其特征在于：包括：设置MOS管的工作参数，模拟其在实际应用中的工作环境；通过光学微干涉仪捕捉MOS管在开关过程中产生的电荷分布和热效应，获得初始的时域响应数据；将时域响应数据转化为频域数据，得到频率响应特性；结合时域响应数据和频域数据，对MOS管在不同频率、不同工作条件下的响应速率进行全面评估，生成动态响应速率报告；根据动态响应速率报告构建响应速率预测模型，通过历史数据训练并优化响应速率预测模型，将MOS管的工作参数输入响应速率预测模型，预测未来一段时间MOS管的响应速率；将实际测试结果与预测结果进行对比，根据误差动态调整MOS管的工作参数。

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