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龙图腾网恭喜成都航天博目电子科技有限公司申请的专利一种AlGaN蚀刻速率的确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361426B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411933346.7，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权一种AlGaN蚀刻速率的确定方法是由马磊;董鹏;刘浩;边旭明;曹佳;孟飞设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AlGaN蚀刻速率的确定方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，公开了一种AlGaN蚀刻速率的确定方法，为了解决AlGaN蚀刻中晶圆和时间消耗量大的问题，所述方法包括：在AlGaN层上沉积介质层；在预定的蚀刻条件下对介质层进行蚀刻；判断介质层厚度是否达到预定厚度，如果低于预定厚度，则完全去除介质层并重新沉积，如果高于预定厚度，则继续进行蚀刻；根据介质层蚀刻前后的厚度以及蚀刻时间得到所述蚀刻条件下的介质层蚀刻速率；对介质层开孔，露出需要蚀刻的AlGaN层；量测开孔区域的台阶高度；以介质层作为硬掩膜，以小于完全蚀刻掉硬掩膜所需时间的蚀刻时间，蚀刻AlGaN层；量测蚀刻AlGaN层后开孔区域的台阶高度，计算得到AlGaN层的蚀刻速率。本发明可以节省AlGaN蚀刻工艺过程中的晶圆消耗，极大节省成本。

本发明授权一种AlGaN蚀刻速率的确定方法在权利要求书中公布了：1.一种AlGaN蚀刻速率的确定方法，其特征在于，包括：步骤S1，在AlGaN层上沉积介质层；步骤S2，在预定的蚀刻条件下对介质层进行蚀刻；步骤S3，量测蚀刻后的介质层的厚度；步骤S4，根据量测结果判断介质层厚度是否达到预定厚度，如果低于预定厚度，则完全去除介质层并返回步骤S1重新沉积介质层，如果高于预定厚度，则返回步骤S2继续对介质层进行蚀刻，直到介质层厚度达到预定厚度；步骤S5，根据介质层蚀刻前的厚度、蚀刻后的厚度以及蚀刻时间得到所述蚀刻条件下的介质层蚀刻速率V1；步骤S6，对介质层开孔，形成开孔区域，露出需要蚀刻的AlGaN层；步骤S7，量测开孔区域的台阶高度作为第一台阶高度A；步骤S8，以介质层作为硬掩膜，采用与步骤S2相同的蚀刻气体，以小于完全蚀刻掉硬掩膜所需时间的蚀刻时间t，蚀刻AlGaN层；步骤S9，量测蚀刻AlGaN层后开孔区域的台阶高度作为第二台阶高度B，计算得到AlGaN层的蚀刻速率V2=（B-A+t×V1）t；步骤S10，判断计算得到的AlGaN蚀刻速率是否满足要求，如果不满足，则返回步骤S1，直到满足要求。

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