恭喜英特尔公司K.艾根获国家专利权
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龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利利用沟槽结构的嵌入式桥管芯的电力输送获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111033730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201780094472.X,技术领域涉及:H10D80/30;该发明授权利用沟槽结构的嵌入式桥管芯的电力输送是由K.艾根;钱治国;谢建勇设计研发完成,并于2017-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用沟槽结构的嵌入式桥管芯的电力输送在说明书摘要公布了:接合封装结构的方法结构被描述。那些方法结构可包括部署在衬底的表面上的管芯、嵌入衬底中的互连桥、以及穿过互连桥的一部分而部署的至少一个垂直互连结构,其中所述至少一个垂直互连结构电气地和物理地耦合到管芯。
本发明授权利用沟槽结构的嵌入式桥管芯的电力输送在权利要求书中公布了:1.一种微电子封装结构,包括:部署在衬底的表面上的管芯;嵌入所述衬底中的互连桥,所述互连桥包括网状的电源平面结构和至少一个垂直互连结构;所述至少一个垂直互连结构仅穿过所述互连桥的一部分而部署,并且所述至少一个垂直互连结构垂直地位于所述网状的电源平面结构下面并且耦合到所述网状的电源平面结构,其中所述至少一个垂直互连结构电气地耦合到所述管芯。
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