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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107681063B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201710943227.3，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权阵列基板及其制备方法、显示装置是由王国英;宋振设计研发完成，并于2017-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及其制备方法、显示装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的有机电致发光器件照射薄膜晶体管，导致薄膜晶体管的阈值电压发生较大漂移的问题。本发明的阵列基板，包括：基底，位于所述基底上的多个像素单元；每个所述像素单元均包括有机电致发光器件；其中，所述有机电致发光器件包括沿背离所述基底方向依次设置的第一极、发光层、第二极；且所述第一极的材料包括反射材料；在任意两相邻的所述有机电致发光器件的第一极之间设置有凸起结构，且所述有机电致发光器件的第一极延伸至所述凸起结构的侧壁上。

本发明授权阵列基板及其制备方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，包括：基底，位于所述基底上的多个像素单元；每个所述像素单元均包括有机电致发光器件；其中，所述有机电致发光器件包括沿背离所述基底方向依次设置的第一极、发光层、第二极；且所述第一极的材料包括反射材料；其特征在于，在任意两相邻的所述有机电致发光器件的第一极之间设置有凸起结构，且所述有机电致发光器件的第一极延伸至所述凸起结构的侧壁上；每个所述像素单元均还包括薄膜晶体管；所述有机电致发光器件的第一极所在层位于所述薄膜晶体管所在层之上，且在二者之间设置有层间绝缘层；所述凸起结构位于所述层间绝缘层之上；所述有机电致发光器件的第一极在所述基底上的正投影覆盖所述薄膜晶体管在所述基底上的正投影；所述层间绝缘层包括平坦化层；所述凸起结构与所述平坦化层为一体成型结构；在每个所述像素单元中，所述有机电致发光器件的第一极通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。

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