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龙图腾网恭喜微软技术许可有限责任公司申请的专利半导体-超导体纳米线和基于其的量子设备的形成和制造获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112437931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980048403.4，技术领域涉及：G06N10/00；该发明授权半导体-超导体纳米线和基于其的量子设备的形成和制造是由M·H·弗里德曼;B·范海克;G·W·温克勒;T·卡基格;R·卢奇;P·克罗格斯拉普·杰普森;C·纳雅克;C·M·马库斯;S·瓦伊缇克纳斯设计研发完成，并于2019-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体-超导体纳米线和基于其的量子设备的形成和制造在说明书摘要公布了：本公开涉及一种量子设备及其制造方法。设备包括一个或多个半导体‑超导体纳米线，一个或多个半导体‑超导体纳米线各自包括一定长度的半导体材料和被涂覆于半导体材料上的超导体材料的涂层。纳米线可以形成于衬底上方。在第一方面中，纳米线中的至少一些纳米线是全壳纳米线，其中超导体材料沿着线的长度中的一些或全部长度围绕半导体材料的整个周边被涂覆，其中设备可操作以在全壳纳米线的一个或多个有源纳米线中诱发至少一个马约拉纳零模MZM。在第二方面中，纳米线中的至少一些纳米线相对于成品设备中的衬底的平面竖直地布置。

本发明授权半导体-超导体纳米线和基于其的量子设备的形成和制造在权利要求书中公布了：1.一种基于半导体-超导体纳米线的设备，包括：衬底；被形成于所述衬底上方的一个或多个层；以及被形成于所述层中的一个或多个层中的一个或多个半导体-超导体纳米线，所述一个或多个半导体-超导体纳米线中的每个包括一定长度的半导体材料和被涂覆于所述半导体材料上的超导体材料的涂层；其中一个、一些或全部所述纳米线中的每个纳米线是全壳纳米线，所述超导体材料沿着所述半导体材料的所述长度中的一些或全部长度围绕所述半导体材料的整个周边被涂覆；其中所述全壳纳米线中的一个、一些或全部全壳纳米线相对于所述衬底是竖直的；以及其中所述设备可操作以通过施加与有源纳米线平行的磁场分量来在所述纳米线中的一个或多个有源纳米线中诱发至少一个马约拉纳零模MZM，所述纳米线中的所述一个或多个有源纳米线包括所述全壳纳米线中的至少一个或多个全壳纳米线。

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