恭喜台湾积体电路制造股份有限公司曹淳凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916466B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910602803.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权图像传感器及其形成方法是由曹淳凯;卢玠甫;周世培;王子铭设计研发完成，并于2019-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的各种实施例涉及一种包括光管结构的图像传感器。光侦测器设置在半导体衬底内。栅极电极位于半导体衬底之上且与光侦测器相邻。层级间介电层上覆于半导体衬底。导电接点设置在层级间介电层内，以使得导电接点的底表面低于栅极电极的顶表面。光管结构上覆于光侦测器，以使得光管结构的底表面凹入成低于导电接点的顶表面。
本发明授权图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括：半导体衬底；光侦测器，设置在所述半导体衬底内；栅极电极，上覆于所述半导体衬底且与所述光侦测器相邻；层级间介电层，上覆于所述半导体衬底；导电接点，位于所述层级间介电层内，其中所述导电接点的底表面低于所述栅极电极的顶表面；光管结构，上覆于所述光侦测器，其中所述光管结构的底表面凹入成低于所述导电接点的顶表面，其中所述光管结构具有两个分离的宽度，其中所述光管结构的宽度从顶部到底部增大；以及金属间介电结构，上覆于所述层级间介电层，其中所述金属间介电结构包括下部刻蚀终止层，所述下部刻蚀终止层从所述导电接点的上方连续延伸，沿着所述光管结构的侧壁，到低于所述光管结构的所述底表面的点。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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