恭喜三星电子株式会社裵德汉获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110828457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910747076.3，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及其制造方法是由裵德汉;金辰昱设计研发完成，并于2019-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件及其制造方法。根据示例实施例，该半导体器件包括：衬底，具有有源区；有源区上的栅结构，所述栅结构包括栅介电层和栅电极层，所述栅电极层具有倒圆的上拐角；和栅结构的侧表面上的栅隔墙层，所述栅隔墙层的上表面在比栅电极层的上表面低的高度处。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底，具有有源区；所述有源区上的栅结构，所述栅结构包括栅介电层和栅电极层，所述栅电极层具有倒圆的上拐角；以及所述栅结构的侧表面上的栅隔墙层，所述栅隔墙层的上表面在比所述栅电极层的上表面低的高度处，所述栅隔墙层的上表面具有下凸形状，其中，所述栅隔墙层中的每一个在第二方向上在其中心区中具有最小厚度并且在其边缘区中具有最大厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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