恭喜佛山市国星半导体技术有限公司崔永进获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110491977B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910763024.5,技术领域涉及:H10H20/831;该发明授权一种LED芯片及其制作方法是由崔永进;王硕;张状;庄家铭设计研发完成,并于2019-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种LED芯片及其制作方法,包括衬底,依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层,第一电极和第二电极,还包括裸露区域和n个孔洞,n≥2,n个孔洞形成阶梯结构,第1个孔洞的直径到第n个孔洞的直径依次递减,所述第一电极设置在裸露出来的第一半导体层上并延伸至n个孔洞内,所述第二电极设置在第二半导体层上。本发明通过n个孔洞来增加第一电极和第一半导体层的接触面积,从而使第一电极与第一半导体层结合得更加牢固,从而提高后续封装打线的可靠性,以及提高芯片的电流扩展能力。
本发明授权一种LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种LED芯片,包括衬底,依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层,第一电极和第二电极,其特征在于,还包括裸露区域和n个孔洞,n≥2,所述裸露区域从第二半导体层刻蚀至第一半导体层,以将第一半导体层裸露出来,n个孔洞均位于第一半导体层内,第1个孔洞位于裸露区域的下方,且与裸露区域连通,第n个孔洞位于第(n-1)个孔洞的下方,且与第(n-1)个孔洞连通,n个孔洞形成阶梯结构,第1个孔洞的直径到第n个孔洞的直径依次递减,所述第一电极设置在裸露出来的第一半导体层上并延伸至n个孔洞内,所述第二电极设置在第二半导体层上;所述第一电极包括第一金属层和第二金属层,所述第一金属层设置在第一半导体层上并填充在孔洞内,所述第二金属层覆盖在第一金属层上,将第一金属层裸露出来的部分包裹,第一金属层的润湿性小于第二金属层的润湿性;所述第一金属层的结构为CrCuCoZnPt;其中,Cr作为底层,Pt作为顶层;所述第二金属层至少包括Ni、Au、Ti和In中的一种或几种金属。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人佛山市国星半导体技术有限公司,其通讯地址为:528200 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。