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龙图腾网恭喜佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110491977B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910763024.5，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种LED芯片及其制作方法是由崔永进;王硕;张状;庄家铭设计研发完成，并于2019-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层，第一电极和第二电极，还包括裸露区域和n个孔洞，n≥2，n个孔洞形成阶梯结构，第1个孔洞的直径到第n个孔洞的直径依次递减，所述第一电极设置在裸露出来的第一半导体层上并延伸至n个孔洞内，所述第二电极设置在第二半导体层上。本发明通过n个孔洞来增加第一电极和第一半导体层的接触面积，从而使第一电极与第一半导体层结合得更加牢固，从而提高后续封装打线的可靠性，以及提高芯片的电流扩展能力。

本发明授权一种LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层，第一电极和第二电极，其特征在于，还包括裸露区域和n个孔洞，n≥2，所述裸露区域从第二半导体层刻蚀至第一半导体层，以将第一半导体层裸露出来，n个孔洞均位于第一半导体层内，第1个孔洞位于裸露区域的下方，且与裸露区域连通，第n个孔洞位于第（n-1）个孔洞的下方，且与第（n-1）个孔洞连通，n个孔洞形成阶梯结构，第1个孔洞的直径到第n个孔洞的直径依次递减，所述第一电极设置在裸露出来的第一半导体层上并延伸至n个孔洞内，所述第二电极设置在第二半导体层上；所述第一电极包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在第一半导体层上并填充在孔洞内，所述第二金属层覆盖在第一金属层上，将第一金属层裸露出来的部分包裹，第一金属层的润湿性小于第二金属层的润湿性；所述第一金属层的结构为CrCuCoZnPt；其中，Cr作为底层，Pt作为顶层；所述第二金属层至少包括Ni、Au、Ti和In中的一种或几种金属。

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