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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利包含到有源区支柱的含金属互连件的集成式组合件以及形成集成式组合件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112913011B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980068846.X，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权包含到有源区支柱的含金属互连件的集成式组合件以及形成集成式组合件的方法是由A·F·希姆谢克-埃格设计研发完成，并于2019-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含到有源区支柱的含金属互连件的集成式组合件以及形成集成式组合件的方法在说明书摘要公布了：一些实施例包含一种具有有源区支柱的集成式组合件。所述有源区支柱中的每一个具有接触区。所述接触区包含一对存储元件接触区，且在所述存储元件接触区之间包含数字线接触区。所述有源区支柱包含硅。字线沿着所述有源区支柱且沿着第一方向延伸。硅化钴直接抵靠所述接触区中的一或多个的所述硅。含金属材料直接抵靠所述硅化钴。数字线与所述数字线接触区电耦合且沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸。存储元件与所述存储元件接触区电耦合。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。

本发明授权包含到有源区支柱的含金属互连件的集成式组合件以及形成集成式组合件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成集成式组合件的方法，其包括：提供具有有源区支柱的构造；所述有源区支柱中的每一个具有一对存储元件接触区，且在所述对的所述存储元件接触区之间具有数字线接触区；所述有源区支柱包括半导体材料；所述构造包含邻近于所述有源区支柱且沿着第一方向延伸的字线；在所述构造上方形成图案化模具；所述图案化模具具有延伸穿过其中的开口；所述开口与所述数字线接触区对准；使所述开口延伸到所述数字线接触区的所述半导体材料中；在延伸的开口内形成含碳聚合物；在所述图案化模具内形成沟槽，所述沟槽沿着第二方向延伸且越过所述数字线接触区；所述第二方向与所述第一方向交叉；从所述数字线接触区上方移除所述含碳聚合物以重新打开所述开口；重新打开的开口位于所述沟槽的底部处且延伸到所述数字线接触区的所述半导体材料中；所述数字线接触区的表面在所述重新打开的开口内暴露；在所述沟槽内形成与所述数字线接触区电耦合的数字线材料；所述数字线材料被配置成沿着所述第二方向延伸的数字线；以及形成与所述对的所述存储元件接触区电耦合的存储元件。

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