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龙图腾网恭喜住友电工光电子器件创新株式会社申请的专利半导体器件制造方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110931369B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910862924.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体器件制造方法和半导体器件是由松田庆太设计研发完成，并于2019-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件制造方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制造方法和半导体器件，所述半导体器件制造方法包括：在其上设置有金属配线的半导体上形成有机绝缘层，该有机绝缘层具有开口，以露出金属配线的一部分；形成种金属层，该种金属层覆盖金属配线从开口露出的所述一部分、有机绝缘层的开口的内侧面和有机绝缘层的开口的周缘部；形成掩模，该掩模覆盖种金属层的边缘，并且露出种金属层在开口中所形成的一部分；并且通过无电镀在从掩模露出的种金属层上形成阻挡金属层。掩模包括有机材料或无机介电材料。

本发明授权半导体器件制造方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制造方法，包括：在其上设置有金属配线的半导体上形成有机绝缘层，所述有机绝缘层具有开口，以露出所述金属配线的一部分；形成种金属层，所述种金属层覆盖所述金属配线从所述开口露出的所述一部分、所述有机绝缘层的所述开口的内侧面和所述有机绝缘层的所述开口的周缘部；形成掩模，所述掩模覆盖所述种金属层的边缘，并且露出所述种金属在所述开口中所形成的一部分；通过无电镀在从所述掩模露出的所述种金属上形成阻挡金属层；在不移除所述掩模的情况下，通过回流焊接在所述阻挡金属层和所述掩模上形成焊球，其中，所述掩模包括无机介电材料。

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