恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司潘璋获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112563122B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910919338.X，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构及其形成方法是由潘璋;张婷设计研发完成，并于2019-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有若干相互分立的核心层，且所述核心层顶部表面具有隔离层；在所述基底上形成暴露出隔离层顶部表面的牺牲层；形成所述牺牲层之后，去除所述隔离层；去除所述隔离层之后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层之后，在所述核心层侧壁表面形成掩膜层；形成所述掩膜层之后，去除所述核心层。所述方法能够提高相邻掩膜层间距的均一性，使得形成的半导体结构的性能较好。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有若干相互分立的核心层，且所述核心层顶部表面具有隔离层；在所述基底上形成暴露出隔离层顶部表面的牺牲层；形成所述牺牲层之后，去除所述隔离层；去除所述隔离层之后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层之后，在所述核心层侧壁表面形成掩膜层；形成所述掩膜层之后，去除所述核心层；形成掩膜层之后，去除核心层之前，在所述掩膜层侧壁表面形成第二保护层，且所述第二保护层的材料和掩膜层的材料不同；去除所述核心层之后，去除所述第二保护层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号