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龙图腾网恭喜德州仪器公司申请的专利具有用于不同电容密度电容器的侧壁间隔件的局部硅氧化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112868099B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980066690.1，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权具有用于不同电容密度电容器的侧壁间隔件的局部硅氧化是由亨利·利茨曼·爱德华兹设计研发完成，并于2019-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有用于不同电容密度电容器的侧壁间隔件的局部硅氧化在说明书摘要公布了：一种集成电路IC100包含第一电容器150a、第二电容器150b及与所述电容器一起配置用于在衬底102上的半导体表面层106中实现至少一个电路功能的功能电路180。所述电容器包含在局部硅氧化LOCOS氧化物110a、110b上的顶板112，其中用于所述第二电容器的所述LOCOS氧化物的厚度比用于所述第一电容器的所述LOCOS氧化物的厚度厚。针对所述第一及第二电容器存在用于所述顶板的接触件122a及用于底板的接触件122b。

本发明授权具有用于不同电容密度电容器的侧壁间隔件的局部硅氧化在权利要求书中公布了：1.一种制造集成电路IC的方法，其包括：在半导体表面层上的垫氧化物层上沉积第一ODB层；在所述第一ODB层中形成第一开口及第二开口，其中所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度；在所述第一开口及在所述第二开口中各自生长第一LOCOS氧化物层以形成用于第一电容器的LOCOS氧化物层；在所述第一LOCOS氧化物层上沉积第二ODB层；在所述第二ODB层上沉积牺牲侧壁膜，其中所述第一开口完全被所述沉积牺牲侧壁膜填满；蚀刻所述牺牲侧壁膜以在所述第二开口中形成间隔件，其中所述第一开口保持被所述牺牲侧壁膜填满；移除在第二开口中未被所述牺牲侧壁膜覆盖的所述第二ODB层；剥离所述牺牲侧壁膜；在所述第二开口而非在所述第一开口中生长第二LOCOS氧化物层以形成用于第二电容器的LOCOS氧化物层，其中用于所述第二电容器的所述LOCOS氧化物层的厚度比用于所述第一电容器的所述LOCOS氧化物层的厚度厚；移除所述第一ODB层及所述第二ODB层；及形成第一顶板，其在所述第一开口上方用于所述第一电容器，及在所述第二开口上方用于所述第二电容器。

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