恭喜半导体元件工业有限责任公司A·康斯坦特获国家专利权
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龙图腾网恭喜半导体元件工业有限责任公司申请的专利电子器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111162119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910990771.2，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权电子器件及其形成方法是由A·康斯坦特;P·科庞;J·巴伊勒设计研发完成，并于2019-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明题为“电子器件及其形成方法”。本发明公开了一种电子器件，该电子器件可包括半导体层以及与该层形成欧姆接触的接触结构。在一个实施方案中，半导体层可包含III‑N材料，并且接触结构包括第一相和第二相，其中第一相包含Al，第二相包含金属，并且第一相接触半导体层。在另一个实施方案中，半导体层可为具有沿着晶面的表面的单晶层。接触结构可包含多晶材料，该多晶材料包含具有与单晶层的表面接触的表面的晶体，其中单晶层的表面与晶体的表面之间的晶格失配为至多20％。
本发明授权电子器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，包括：半导体层，其中所述半导体层为包括具有六方晶格结构的III-N材料的单晶层，并且所述单晶层具有沿0002晶面的表面；和接触结构，所述接触结构与所述半导体层形成欧姆接触，其中所述接触结构包括第一相和与所述第一相不同的第二相，其中：所述第一相包含Al，所述第二相包含金属，所述第一相包括具有第一表面的第一晶体，所述第一表面接触所述单晶层的所述表面，并且所述第一晶体具有立方晶格结构，且所述晶体的所述第一表面沿111晶面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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