恭喜三星电子株式会社卢恩仙获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利磁性质测量系统和方法和使用其制造磁存储器件的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111077114B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910999098.9,技术领域涉及:G01N21/47;该发明授权磁性质测量系统和方法和使用其制造磁存储器件的方法是由卢恩仙设计研发完成,并于2019-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性质测量系统和方法和使用其制造磁存储器件的方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种磁性质测量系统、测量磁性质的方法和使用其制造磁存储器件的方法,其中该磁性质测量系统包括配置为保持样品的平台和设置在平台上方的磁结构。该平台包括主体部分、邻近主体部分的磁性部分以及在主体部分中限定的多个孔。平台的磁性部分和磁结构配置为将垂直于样品的一个表面的磁场施加到样品。平台配置为在平行于样品的所述一个表面且彼此垂直的第一方向和第二方向上水平地移动。
本发明授权磁性质测量系统和方法和使用其制造磁存储器件的方法在权利要求书中公布了:1.一种磁性质测量系统,包括:平台,配置为保持样品;和磁结构,设置在所述平台上方,其中所述平台包括:主体部分;邻近所述主体部分的磁性部分;在所述主体部分中限定的多个孔;光源,配置为将入射光照射到所述样品的一个表面;和检测器,配置为检测从所述样品反射的光的偏振,其中所述样品在所述平台的所述磁性部分与所述磁结构之间,其中所述平台的所述磁性部分和所述磁结构配置为将垂直于所述样品的所述一个表面的磁场施加到所述样品,以及其中所述平台配置为在平行于所述样品的所述一个表面且彼此垂直的第一方向和第二方向上水平地移动以将所述样品的测量目标区域移动到光照射区域。
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