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龙图腾网恭喜忠南大学校产学协力团申请的专利包括掺杂氮的石墨烯层作为有源层的基于石墨烯的TFT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113454793B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980092592.5，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权包括掺杂氮的石墨烯层作为有源层的基于石墨烯的TFT是由尹顺吉;朴昞柱;韩艺瑞设计研发完成，并于2019-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括掺杂氮的石墨烯层作为有源层的基于石墨烯的TFT在说明书摘要公布了：本发明涉及包括掺杂氮的石墨烯层作为有源层的高品质、高功能性的基于石墨烯的薄膜晶体管TFT，thinfilmtransistor，更详细地涉及基于石墨烯的TFT，其包括：栅电极；栅极绝缘层，位于上述栅电极上；有源层，位于上述栅极绝缘层上的一部分区域，包括氮‑掺杂石墨烯层；第一电极，位于上述有源层的一侧区域上；第二电极，位于上述有源层的另一侧区域上。在这种本发明中，可在Ti层上使石墨烯直接生长，通过远程等离子体使其受到损伤之后，利用氮气掺杂来制备石墨烯有源层，由此可得到具有非常优秀的特性的TFT。

本发明授权包括掺杂氮的石墨烯层作为有源层的基于石墨烯的TFT在权利要求书中公布了：1.一种基于石墨烯的TFT，其特征在于，包括：栅电极；栅极绝缘层，位于所述栅电极上；有源层，位于所述栅极绝缘层上的一部分区域，包括氮-掺杂石墨烯层；第一电极，位于所述有源层的一侧区域上；第二电极，位于所述有源层的另一侧区域上，其中，所述有源层为氮-掺杂石墨烯层TiO2-x层，其中所述氮-掺杂石墨烯层是在无氧气氛中在栅极绝缘层上沉积Ti层之后连续直接生成并掺杂的，并且所述TiO2-x层是通过在将所述有源层暴露至外部环境后所述Ti层的部分氧化形成的。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人忠南大学校产学协力团，其通讯地址为：韩国大田；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。