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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利电力用半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730757B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980102448.5，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权电力用半导体装置是由大宅大介;林田幸昌;本宫哲男设计研发完成，并于2019-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本电力用半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供能够实现模块的小型化的电力用半导体装置。本发明涉及的电力用半导体装置具有：发射极主电极，其设置于多个半导体芯片的每一者；以及主电极发射极感测端子，其与各发射极主电极直接连接，一部分露出到模块的外部，各主电极发射极感测端子在模块外部的俯视观察时，位于对角，并且主电极发射极感测端子与本身所连接的发射极主电极之间的距离比主电极发射极感测端子彼此之间的距离近。

本发明授权电力用半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种电力用半导体装置，其具有：主电极，其设置于多个半导体芯片的每一者；以及主电极发射极感测端子，其与各所述主电极直接连接，该主电极发射极感测端子的一部分露出到模块的外部，各所述主电极发射极感测端子在所述模块的外部的俯视观察时，位于对角，并且所述主电极发射极感测端子与本身所连接的所述主电极之间的距离比所述主电极发射极感测端子彼此之间的距离近，所述电力用半导体装置还具有辅助发射极感测端子，该辅助发射极感测端子与各所述主电极间接地连接，该辅助发射极感测端子的一部分露出到所述模块的外部，各辅助发射极感测端子在所述模块的外部的俯视观察时，位于与所述主电极发射极感测端子相反的对角。

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