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龙图腾网恭喜桑迪士克科技有限责任公司申请的专利包含串联选择栅极晶体管的铁电存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113196481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980083062.4，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权包含串联选择栅极晶体管的铁电存储器器件及其形成方法是由张艳丽;J·阿尔斯迈耶设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含串联选择栅极晶体管的铁电存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种铁电存储器晶胞包括导通和关断铁电存储器晶胞的选择栅极晶体管与铁电存储器晶体管的串联连接。数据存储在该铁电存储器晶体管的铁电材料层中。该铁电存储器晶胞可为平面结构，其中两个晶体管均为具有水平电流方向的平面晶体管。在这种情况下，该访问晶体管的栅极电极可形成为埋入式导线。另选地，该铁电存储器晶胞可包括竖直半导体沟道的竖直堆叠。

本发明授权包含串联选择栅极晶体管的铁电存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，所述存储器器件包括位于半导体衬底上的一行铁电存储器晶胞和嵌入所述半导体衬底中的电介质隔离结构，其中所述一行铁电存储器晶胞中的每个铁电存储器晶胞包括：相应第一场效应晶体管，所述相应第一场效应晶体管包括在位于所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区之间延伸的第一半导体沟道、设置在从所述半导体衬底的顶表面向下延伸并且位于所述第一有源区和所述第二有源区之间的线沟槽的部分的外围区处的第一栅极电介质，以及位于所述第一栅极电介质上方的第一栅极电极，其中所述第一半导体沟道覆盖在所述第一栅极电介质的水平部分下面；和相应第二场效应晶体管，所述相应第二场效应晶体管包括在所述第二有源区和第三有源区之间延伸的第二半导体沟道、包括覆盖在所述第二半导体沟道上面的铁电材料层的第二栅极电介质，以及覆盖在所述第二栅极电介质上面的第二栅极电极，其中：所述电介质隔离结构沿着第一水平方向横向延伸且沿着第二水平方向横向间隔开，所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向；所述线沟槽沿着所述第二水平方向水平延伸，并且从包含所述半导体衬底的顶表面的水平平面竖直延伸到所述电介质隔离结构中的每一个中并延伸到所述半导体衬底的位于所述电介质隔离结构的相邻对的电介质隔离结构之间的每个部分中；并且包含在所述一行铁电存储器晶胞内的所述第一栅极电极中的每一个的第一栅极电极线位于所述线沟槽内，并且覆盖在所述一行铁电存储器晶胞内的所述第一半导体沟道中的每一个上面且覆盖在形成所述线沟槽的底表面的部分的所述电介质隔离结构的每个凹陷表面上面。

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