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恭喜深圳市优黎泰克科技有限公司金在观获国家专利权

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龙图腾网恭喜深圳市优黎泰克科技有限公司申请的专利NAND闪存的字线偏置电压生成电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112863576B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010055313.2,技术领域涉及:G11C16/08;该发明授权NAND闪存的字线偏置电压生成电路是由金在观;孙成思设计研发完成,并于2020-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

NAND闪存的字线偏置电压生成电路在说明书摘要公布了:本发明涉及一种NAND闪存的字线偏置电压生成电路,包括:高电压生成部,其用于产生高电压;擦除控制逻辑,其用于根据区块选择信号输出擦除电压及选择信号;电平转换器,其用于转换所述高电压生成部的电压以产生编程模式的字线电压;字线电压控制部,当操作模式未处于擦除模式时,其用于通过第一高电压开关选择所述电平转换器的输出,以作为字线偏置电压进行输出;以及第二高电压开关,其用于在擦除模式下根据所述擦除控制逻辑的控制将擦除电压作为字线偏置电压进行输出。

本发明授权NAND闪存的字线偏置电压生成电路在权利要求书中公布了:1.一种NAND闪存的字线偏置电压生成电路,包括:高电压生成部,其用于产生高电压;擦除控制逻辑,其用于根据区块选择信号输出擦除电压及选择信号;电平转换器,其用于转换所述高电压生成部的电压以产生编程模式的字线电压;字线电压控制部,其用于当操作模式未处于擦除模式时通过第一高电压开关来选择所述电平转换器的输出,以作为字线偏置电压进行输出;以及第二高电压开关,其用于在擦除模式下根据所述擦除控制逻辑的控制将擦除电压作为字线偏置电压进行输出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市优黎泰克科技有限公司,其通讯地址为:518051 广东省深圳市南山区桃源街道同富裕工业城4号厂房6楼A;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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