恭喜苹果公司李卫平获国家专利权
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龙图腾网恭喜苹果公司申请的专利具有紧密节距和高效率的VCSEL阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113711450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080024072.3，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权具有紧密节距和高效率的VCSEL阵列是由李卫平;A·拉弗拉奎埃雷;方小龙设计研发完成，并于2020-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有紧密节距和高效率的VCSEL阵列在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光电设备20,120，该光电设备包括半导体基板24。第一组薄膜层设置在该基板上并且限定下部分布式布拉格反射器DBR叠堆42。第二组薄膜层40,46设置在该下部DBR叠堆上方并且限定光学发射区域43，该光学发射区域容纳在由多个沟槽28,128限定的台面中，该多个沟槽围绕该光学发射区域设置而不完全包围该光学发射区域。第三组薄膜层设置在该光学发射区域上方并且限定上部DBR叠堆44,124。电极30,130围绕该台面设置在该沟槽之间的间隙中并且被配置为将激发电流施用到该光学发射区域。
本发明授权具有紧密节距和高效率的VCSEL阵列在权利要求书中公布了：1.一种光电设备，所述光电设备包括：半导体基板；第一组薄膜层，所述第一组薄膜层设置在所述基板上并且限定下部分布式布拉格反射器DBR叠堆；第二组薄膜层，所述第二组薄膜层设置在所述下部DBR叠堆上方并且限定光学发射区域，所述光学发射区域容纳在由多个沟槽限定的台面中，所述多个沟槽围绕所述光学发射区域设置而不完全包围所述光学发射区域；第三组薄膜层，所述第三组薄膜层设置在所述光学发射区域上方并且限定上部DBR叠堆；透明导电层，所述透明导电层被设置在所述光学发射区域和所述上部DBR叠堆之间并且至少在所述第二组薄膜层上方延伸跨过所述台面；和电极，所述电极围绕所述台面设置在与所述透明导电层电接触的所述沟槽之间的间隙中并且被配置为通过所述透明导电层将激发电流施用到所述光学发射区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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