恭喜加利福尼亚大学董事会神川刚获国家专利权
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龙图腾网恭喜加利福尼亚大学董事会申请的专利使用空隙部分移除器件的基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113826188B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080033631.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权使用空隙部分移除器件的基板是由神川刚;M.阿拉基;S.甘德罗图拉设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用空隙部分移除器件的基板在说明书摘要公布了：外延横向过生长ELOIII族氮化物层在沉积在基板上的生长限制掩模的开口区域上或上方生长，其中ELOIII族氮化物层和或随后再生长层的生长形成一个或多个空隙。III族氮化物器件层生长在ELOIII族氮化物层和或再生长层上或上方。将应力施加到基板处的断裂点，其中空隙有助于施加应力，使得从基板移除由III族氮化物器件层、ELOIII族氮化物层和再生长层构成的器件的条。空隙从生长限制掩模释放应力，这有助于防止裂缝。避免生长限制掩模的分解以防止p型层的补偿。
本发明授权使用空隙部分移除器件的基板在权利要求书中公布了：1.一种使用空隙部分从一个或多个器件层移除基板的方法，包括：通过沉积在基板上或上方的生长限制掩模中的开口区域生长一个或多个外延横向过生长III族氮化物层，其中所述III族氮化物层的初始生长高于所述生长限制掩模，所述III族氮化物层从所述初始生长的随后生长聚结以在所述基板的表面与III族氮化物层的表面之间产生一个或多个三角空隙，并且所述三角空隙直接出现在所述生长限制掩模上并且由所述生长限制掩模和III族氮化物层包围；在所述III族氮化物层上或上方生长一个或多个III族氮化物器件层；蚀刻所述三角空隙上方的III族氮化物层和III族氮化物器件层以至少暴露所述三角空隙；以及在所暴露的三角空隙处从所述基板移除由所述III族氮化物层和所述III族氮化物器件层构成的条。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人加利福尼亚大学董事会，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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