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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594133B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010367080.X，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘继全设计研发完成，并于2020-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有底层金属层；在所述基底上依次形成第一层间介质层和第二层间介质层；在所述第一层间介质层和所述第二层间介质层内形成第一通孔，所述第一通孔底部暴露出所述底层金属层的表面；在所述第二层间介质层内形成第一沟槽，所述第一沟槽底部与所述第一通孔顶部相连通；在所述第一通孔内形成第一导电层；在所述第一沟槽内形成第一金属互连层，所述第一金属互连层还位于所述第一导电层上。本发明实施例提供的形成方法，有利于降低形成的互连结构的电阻，提高半导体结构的电学性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有底层金属层；在所述基底上形成第一层间介质层，所述第一层间介质层内形成有第二导电层和第二金属互连层，所述第二金属互连层位于所述第二导电层上；在所述第一层间介质层上形成第二层间介质层；刻蚀所述第二层间介质层，在所述第二层间介质层内形成部分第一通孔，剩余待刻蚀的第一层间介质层和第二层间介质层的厚度与所述第二层间介质层的厚度相等；刻蚀所述第二层间介质层和所述第一层间介质层，加深所述部分第一通孔的深度，在所述第二层间介质层和所述第一层间介质层内形成部分第一通孔，在所述第二层间介质层内形成部分第三通孔，且所述部分第一通孔底部的所述第一层间介质层的厚度与所述部分第三通孔底部的所述第二层间介质层的厚度相等；继续刻蚀所述第二层间介质层和所述第一层间介质层，在所述第一层间介质层和所述第二层间介质层内形成第一通孔，所述第一通孔底部暴露出所述底层金属层的表面，在所述第二层间介质层内形成第三通孔，所述第三通孔的底部暴露出所述第二金属互连层的表面，在所述第二层间介质层内形成第一沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽底部与所述第一通孔顶部相连通，所述第三沟槽底部与所述第三通孔顶部相连通；在所述第一通孔内形成第一导电层；在所述第三通孔内形成第三导电层；在所述第一沟槽内形成第一金属互连层，所述第一金属互连层还位于所述第一导电层上；在所述第三沟槽内形成第三金属互连层，所述第三金属互连层还位于所述第三导电层上。

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