恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010413838.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由郑二虎设计研发完成，并于2020-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供初始衬底，所述初始衬底包括若干第一无效区，以及包围若干所述第一无效区的第一有效区；在所述第一有效区内形成初始应力层；刻蚀所述第一有效区和第一无效区的初始衬底以及初始应力层，以形成衬底、位于第一有效区的衬底上的若干第一鳍部结构、以及位于第一无效区的衬底上的若干第一隔离鳍结构。从而，改善了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供初始衬底，所述初始衬底包括若干第一无效区，以及包围若干所述第一无效区的第一有效区；在所述第一有效区内形成初始应力层，所述初始应力层的材料与所述初始衬底的材料不同，其中，形成所述初始应力层的方法包括：在所述第一有效区的初始衬底内形成第一开口；在所述第一开口内以及所述初始衬底表面形成应力材料层；平坦化所述应力材料层，直至暴露出第一无效区的初始衬底表面；刻蚀所述第一有效区和第一无效区的初始衬底以及初始应力层，以形成衬底、位于第一有效区的衬底上的若干第一鳍部结构、以及位于第一无效区的衬底上的若干第一隔离鳍结构，若干所述第一鳍部结构之间相互分立，每个所述第一鳍部结构包括应力层，在所述第一鳍部结构的延伸方向上，所述第一隔离鳍结构与所述第一鳍部结构相连，并且，所述应力层的材料与所述第一隔离鳍结构的材料不同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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