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龙图腾网恭喜矽力杰半导体技术(杭州)有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111668186B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010510070.7，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体器件及其制造方法是由吕政;宋洵奕;王猛设计研发完成，并于2020-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：下金属层，所述下金属层包括第一区域和第二区域；位于所述下金属层的第一区域和第二区域上表面的层间介质层；从所述层间介质层上表面延伸至所述下金属层的通孔，所述通孔裸露所述下金属层的上表面；覆盖所述通孔的底部，侧壁以及所述层间介质层的上表面第一导电层；覆盖所述下金属层的第一区域上的所述第一导电层的介电层；填充所述通孔的第一金属；以及位于所述层间介质层的上表面上的上金属层，其中，在所述下金属层的第一区域上，所述上金属层与所述第一金属和所述介电层接触。本发明提供的半导体器件在不增加复杂程度的情况下，提高了电容的密度。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：下金属层，所述下金属层包括第一区域和第二区域；位于所述下金属层的第一区域和第二区域上表面的层间介质层；从所述层间介质层上表面延伸至所述下金属层多个的通孔，所述通孔裸露所述下金属层的上表面，多个所述通孔分别位于所述第一区域和第二区域上方；覆盖第一区域和第二区域上的所述通孔的底部，侧壁以及所述层间介质层的上表面的第一导电层；覆盖所述下金属层的第一区域上的所述第一导电层上的介电层；填充第一区域和第二区域上的所述通孔的第一金属；以及位于所述介电层、所述第一金属以及所述第一导电层的上表面上的上金属层，其特征在于，在所述下金属层的第一区域上，所述上金属层与所述第一金属和所述介电层接触；在所述下金属层的第二区域上，所述上金属层与所述第一金属和所述第一导电层接触；所述第一区域与所述第二区域通过绝缘层隔离，其中，所述半导体器件包括一电容结构，所述电容结构的上电极为所述第一区域的所述上金属层和所述第一金属，所述电容结构的介质为所述介电层，所述电容结构的下电极为所述第一区域的所述下金属层和所述第一导电层。

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