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龙图腾网恭喜无锡科技职业学院申请的专利基于差分电容阵列的模数转换装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111585578B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010607986.4，技术领域涉及：H03M1/46；该发明授权基于差分电容阵列的模数转换装置及方法是由丁兰;钱香;魏巍;于志宏设计研发完成，并于2020-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于差分电容阵列的模数转换装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于差分电容阵列的模数转换装置及方法，该装置包括：比较器；与比较器的同相输入端相连的同相低位电容阵列和多个同相高位拆分电容，同相低位电容阵列中电容的电容值为CPm＝2m‑1C，每一同相高位拆分电容的电容值为2n‑5C；与比较器的反相输入端相连的反相低位电容阵列和多个反相高位拆分电容，反相低位电容阵列中电容的电容值为CNm＝2m‑1C，每一反相高位拆分电容的电容值为2n‑5C；开关选择单元，用于分别调节各个电容上的电压值；以及与比较器的输出端相连的逐渐逼近逻辑控制电路，用于控制开关选择单元与对应的电压单元相连。本发明解决了现有技术中模数转换器在数据转换过程中所产生的功耗比较大的问题。

本发明授权基于差分电容阵列的模数转换装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于差分电容阵列的模数转换装置，其特征在于，包括：比较器；与所述比较器的同相输入端相连的同相低位电容阵列和多个同相高位拆分电容，同相低位电容阵列中电容的电容值为CPm＝2m-1C，每一同相高位拆分电容的电容值为2n-5C；与所述比较器的反相输入端相连的反相低位电容阵列和多个反相高位拆分电容，反相低位电容阵列中电容的电容值为CNm＝2m-1C，每一反相高位拆分电容的电容值为2n-5C；分别与所述同相低位电容阵列、多个同相高位拆分电容、反相低位电容阵列、多个反相高位拆分电容相连的开关选择单元，用于分别调节各个电容上的电压值；以及与所述比较器的输出端相连的逐渐逼近逻辑控制电路，用于控制所述开关选择单元与对应的电压单元相连；其中，m∈[1，n-4]，n大于或等于5，CP0＝C，CN0＝C；所述多个同相高位拆分电容和所述多个反相高位拆分电容的数量均为两个，且两个同相高位拆分电容相并联，两个反相高位拆分电容相并联；所述电压单元包括第一参考电压Vcm、第二参考电压Vref以及第三参考电压GND；在所述比较器进行第一次比较之前，两个同相高位选择开关和两个反相高位选择开关均连接至第三参考电压GND，同相低位选择开关和反相低位选择开关均连接至第一参考电压Vcm；在所述比较器进行第二次比较之前，基于第一次比较结果，两个反相高位选择开关或两个同相高位选择开关切换连接至第一参考电压Vcm，且反相低位选择开关或同相低位选择开关切换连接至第二参考电压Vref；在所述比较器进行第三次比较之前，基于第一次比较结果和第二次比较结果，两个反相高位选择开关切换连接至第二参考电压Vref或第一参考电压Vcm，两个同相高位选择开关切换连接至第二参考电压Vref或第一参考电压Vcm；其中，n＝5，同相低位电容阵列由电容CP1和电容CP0构成，反相低位电容阵列由电容CN1和电容CN0构成；所述模数转换装置为10位SARADC。

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