买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜索尼集团公司申请的专利基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的电压调节器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113812087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080034179.6，技术领域涉及：H03F1/34；该发明授权基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的电压调节器电路是由B·J·格里菲斯设计研发完成，并于2020-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的电压调节器电路在说明书摘要公布了：基于金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的电压调节器电路包括第一电阻器、第二电阻器和第一MOSFET。第一MOSFET的第一栅极端子连接到第一电阻器的第二端子和第二电阻器的第一端子。第一MOSFET的第一漏极端子连接到第二电阻器的第二端子和电压调节器电路的第一输出端子。第一MOSFET经由第一电阻器在第一MOSFET的第一栅极端子处接收输入电源电压。基于输入电源电压的改变，第一MOSFET在第一输出端子处提供第一恒定输出电压。

本发明授权基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的电压调节器电路在权利要求书中公布了：1.一种电压调节器电路，包括：第一电阻器；第二电阻器；第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，第二MOSFET；第三电阻器，运算放大器；第三MOSFET，第四MOSFET，和第四电阻器，其中，该第一MOSFET的第一栅极端子连接到所述第一电阻器的第二端子和所述第二电阻器的第一端子，其中，所述第一MOSFET的第一漏极端子连接到所述第二电阻器的第二端子和所述电压调节器电路的第一输出端子，以及其中，所述第一MOSFET被配置为：经由所述第一电阻器在所述第一MOSFET的第一栅极端子处接收输入电源电压，以及基于所述输入电源电压的改变，在所述第一输出端子处提供第一恒定输出电压；其中，所述第二MOSFET的第二栅极端子连接到所述第一MOSFET的第一输出端子和所述第三电阻器的第一端子，以及所述第二MOSFET的第二漏极端子连接到所述第三电阻器的第二端子和所述电压调节器电路的第二输出端子；其中，所述运算放大器的负输入端子连接到所述电压调节器电路的第二输出端子，所述运算放大器的输出端子连接到所述第四MOSFET的第四栅极端子，以及所述运算放大器的正输入端子连接到所述电压调节器电路的第三输出端子、所述第四MOSFET的第四漏极端子和所述第四电阻器的第一端子；其中，所述第三MOSFET的第三栅极端子连接到所述第四电阻器的第二端子和所述第三MOSFET的第三漏极端子，以及所述第三MOSFET的第三源极端子接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人索尼集团公司，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。