恭喜旺宏电子股份有限公司叶腾豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010756237.8，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权半导体结构是由叶腾豪;吕函庭;胡志玮设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包括一存储单元叠层以及一互补式金属氧化物半导体结构。互补式金属氧化物半导体结构位于存储单元叠层的下方，且互补式金属氧化物半导体结构包括一源极线晶体管与一位线晶体管。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一存储单元叠层；一互补式金属氧化物半导体结构，位于该存储单元叠层的下方；其中，该互补式金属氧化物半导体结构包括一源极线晶体管、一位线晶体管和一阶梯译码器，在垂直方向上该阶梯译码器至少部分重叠该存储单元叠层；一局部源极线，位于该存储单元叠层的上方；以及一第三柱元件，位于该局部源极线与该源极线晶体管之间，其中该局部源极线通过该第三柱元件电性连接至该源极线晶体管。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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