买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利用于半导体设备的吸附室壁获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730686B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080077135.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于半导体设备的吸附室壁是由侯赛因·萨迪吉;理查德·A·戈茨乔设计研发完成，并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于半导体设备的吸附室壁在说明书摘要公布了：限定在等离子体处理室中的吸附结构包括具有一个或多个加热元件以加热吸附结构的内层、具有冷却剂流输送网络的中间部分，冷却剂通过该冷却剂流输送网络循环以将吸附结构冷却到允许选择性吸附在处理室中释放的副产物的温度、以及连接到真空管线的真空流网络以产生低压真空并去除从吸附结构释放的副产物。晶格结构限定在中间部分上，晶格结构包括限定在多个层中的开口网络以增加表面积以提高副产物吸附。内部部分邻近中间部分设置。晶格结构的外层面向室的内部区域。晶格结构的层中的开口的尺寸从内层到外层逐渐增大，使得外层为吸附副产物提供更大的表面积。真空管线在吸附步骤期间被激活，以在晶格结构中产生相对于室中压力的低压区域，以吸附副产物。解吸步骤与WACCWAC一起进行，以可靠地从吸附壁上去除积累的副产物。

本发明授权用于半导体设备的吸附室壁在权利要求书中公布了：1.一种集成到用于处理衬底的室的部分中的吸附结构，所述吸附结构包括：内部部分，其具有一个或多个加热元件；中间部分，其具有用于接收和循环来自冷却剂源的冷却剂的冷却剂输送网络、和被配置为连接到真空管线的多个真空导管，其中所述中间部分邻近所述内部部分设置；晶格结构，其具有限定为邻近所述中间部分的内层、和限定为邻近所述内层并被配置为面向所述室的内部区域的外层，其中所述内层和所述外层包括开口网络，并且其中所述多个真空导管被配置为通过所述内层连接到所述晶格结构，其中所述真空管线和所述多个真空导管被配置为在处理期间使用以在所述晶格结构中产生相对于所述室中压力的低压区域，以吸附在所述衬底的处理期间释放在所述室中的副产物。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。