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龙图腾网恭喜英彼森半导体(珠海)有限公司申请的专利高压大驱动高电源抑制比LDO获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111813175B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010801443.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权高压大驱动高电源抑制比LDO是由胡锦通设计研发完成，并于2020-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压大驱动高电源抑制比LDO在说明书摘要公布了：一种高压大驱动高电源抑制比LDO，属于LDO技术领域。本发明针对现有技术中为提高电源抑制比对带片外电容LDO电路进行的改造，存在噪声大及电路稳定性差的问题。包括共源共栅阻性源退化电路和动态补偿电路，所述共源共栅阻性源退化电路采用NMOS差分对管输入，获得低压差固定一级输出电压；动态补偿电路对所述一级输出电压采用动态零点补偿以及动态偏置的方式，获得最终输出电压。本发明可使输出电压噪声大幅度降低，并保证工作点稳定。

本发明授权高压大驱动高电源抑制比LDO在权利要求书中公布了：1.一种高压大驱动高电源抑制比LDO，其特征在于，包括共源共栅阻性源退化电路100和动态补偿电路200，所述共源共栅阻性源退化电路100采用NMOS差分对管输入，获得低压差固定一级输出电压；动态补偿电路200对所述一级输出电压采用动态零点补偿以及动态偏置的方式，获得最终输出电压；所述共源共栅阻性源退化电路100包括MOS管Mn0、MOS管Mn1、MOS管Mn2、MOS管Mn3、MOS管Mp0、MOS管Mp1、电阻R0、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电流源，所述MOS管Mn0和MOS管Mn1的源极共同连接电流源的一端，电流源的另一端接地；MOS管Mn0的栅极连接VREF，漏极与低压电源之间连接电阻R0；MOS管Mn1的漏极与低压电源之间连接电阻R1；MOS管Mn0的漏极连接MOS管Mp0的源极，MOS管Mp0的漏极连接MOS管Mn2的漏极，MOS管Mn2的源极与接地点之间连接电阻R2；MOS管Mn2的漏极连接栅极；MOS管Mp0的栅极连接MOS管Mp1的栅极，MOS管Mp1的源极连接MOS管Mn1的漏极，MOS管Mp1的漏极连接MOS管Mn3的漏极，MOS管Mn3的栅极连接MOS管Mn2的栅极，MOS管Mn3的源极与接地点之间连接电阻R3；所述MOS管Mn3的漏极输出所述一级输出电压；所述共源共栅阻性源退化电路100还包括MOS管Mn5和电容C0，MOS管Mn3的漏极连接MOS管Mn5的栅极，MOS管Mn5的源极接地，漏极与栅极之间连接电容C0；所述动态补偿电路200包括MOS管Mn4、MOS管Mn6、MOS管Mp2、MOS管Mp3、MOS管PMOSFET、电阻R4、电阻R5和电容C1，MOS管Mn5的栅极连接MOS管Mn4的栅极，MOS管Mn4的源极接地，漏极连接MOS管Mn6的源极，MOS管Mn6的栅极连接固定偏置电压，MOS管Mn6的漏极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接高压电源；MOS管Mn6的漏极连接MOS管Mp2的栅极，MOS管Mp2的栅极连接漏极，MOS管Mp2的源极连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接高压电源，电阻R5的另一端与MOS管Mn4的漏极之间连接电容C1；MOS管Mp2的栅极连接MOS管Mp3的栅极，MOS管Mp3的栅极连接漏极，MOS管Mp3的源极连接高压电源；MOS管Mp3的栅极连接MOS管PMOSFET的栅极，MOS管PMOSFET的源极连接高压电源，漏极作为最终输出电压输出端。

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