恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司韩秋华获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010809296.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由韩秋华设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：基底、栅极结构和位于栅极结构的侧壁的侧墙，侧墙的顶部高于栅极结构的顶部；源漏，位于栅极结构两侧的所述基底内，源漏的顶部高于或齐平于基底顶部；导电层，位于源漏上；保护层，位于栅极结构的顶部且位于侧墙之间，保护层的顶部表面高于侧墙的顶部表面；覆盖层，位于导电层以及侧墙的顶部，覆盖层的顶部与保护层的顶部齐平；介质层，位于保护层和覆盖层上；第一互连层，位于栅极结构顶部的保护层内；第二互连层，位于导电层顶部的覆盖层内。本发明实施例提供的半导体结构，避免了第一互连层和导电层之间、以及第二互连层和栅极结构之间的短接问题，提升了半导体结构的电学性能和稳定性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；侧墙，位于所述栅极结构的侧壁上，且所述侧墙的顶部表面高于所述栅极结构的顶部表面；源漏，位于所述栅极结构两侧的所述基底内，所述源漏的顶部表面高于或齐平于所述基底顶部表面；导电层，位于所述源漏上；保护层，位于所述栅极结构的顶部且位于所述侧墙之间，所述保护层的顶部表面高于所述侧墙的顶部表面；覆盖层，位于所述导电层以及所述侧墙的顶部，所述覆盖层的顶部表面与所述保护层的顶部表面齐平；介质层，位于所述保护层和所述覆盖层上；第一互连层，位于所述保护层内，且位于所述栅极结构顶部；第二互连层，位于所述覆盖层内，且位于所述导电层顶部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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