恭喜成都京东方显示科技有限公司刘翔获国家专利权
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龙图腾网恭喜成都京东方显示科技有限公司申请的专利金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111799281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010808238.2，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板是由刘翔设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本发明提供了一种金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。本发明提供的金属氧化物阵列基板的制造方法包括在衬底基板上沉积形成栅金属层，并通过光刻工艺形成栅极；在栅金属层上沉积缓冲层，并在缓冲层上沉积半导体层，通过光刻工艺在栅极上方形成半导体图形；在半导体图形上形成源极和漏极；在缓冲层上通过原子沉积方式形成金属绝缘层，金属绝缘层至少覆盖半导体图形；在金属绝缘层上沉积保护层，从而避免了金属电极被氧化，同时阻止了水或氢渗透进入沟道，提升了TFT的性能，提高了显示面板的显示质量。
本发明授权金属氧化物阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成栅极和缓冲层；在所述缓冲层上沉积半导体层，并通过光刻工艺在所述半导体层上形成半导体图形；在所述半导体图形上形成源极、漏极和金属绝缘层，所述金属绝缘层覆盖所述半导体图形，其中，所述金属绝缘层为通过原子沉积方式沉积成金属层后，再经等离子体氧化而形成，源极和漏极的材料为铜，所述金属绝缘层的厚度为在所述阵列基板的厚度方向上，所述半导体图形的投影位于所述栅极的投影范围内；在所述源极、所述漏极和所述金属绝缘层上沉积保护层，并在所述保护层上形成接触过孔；在所述阵列基板的显示区域的对应位置沉积透明导电层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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