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恭喜ASMIP控股有限公司D·南德瓦纳获国家专利权

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龙图腾网恭喜ASMIP控股有限公司申请的专利半导体沉积反应器歧管获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112695294B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011124004.2,技术领域涉及:C23C16/455;该发明授权半导体沉积反应器歧管是由D·南德瓦纳;E·J·希罗;C·L·怀特;T·R·杜纳;W·G·皮特罗;J·L·温科;A·奇塔莱设计研发完成,并于2020-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体沉积反应器歧管在说明书摘要公布了:本公开涉及一种半导体沉积反应器歧管和使用所述半导体沉积反应器歧管的方法的实施例,所述半导体沉积反应器歧管可用于使用如原子层沉积ALD等工艺沉积半导体层。所述半导体沉积反应器歧管具有孔、第一供应通道和第二供应通道。有利的是,第一供应通道和第二供应通道以偏移的方式与孔合并,这导致减少供应通道内的交叉污染。

本发明授权半导体沉积反应器歧管在权利要求书中公布了:1.一种半导体处理装置,其包含:歧管,所述歧管包含:孔,配置成将汽化反应物递送到反应腔室,所述孔包括平行于纵向轴线的直壁;上壁,设置在所述歧管的上部,所述上壁在所述孔的第一端沿着所述纵向轴线界定封盖表面;出口,在所述歧管的下部沿着所述纵向轴线,所述出口配置成将气体递送到反应器;第一供应通道,配置成将气体供应到所述孔;以及第二供应通道,配置成将气体供应到所述孔,其中所述第一供应通道相对于在所述第一供应通道上方的孔的长度,以大于90的角度与所述孔合并,并且所述第二供应通道相对于在所述第二供应通道上方的孔的长度以小于90度的角度与所述孔合并,其中,所述第一供应通道的入口在沿着所述纵向轴线的第一位置与孔合并,且其中所述第二供应通道的入口在沿着所述纵向轴线的第二位置与孔合并,所述第一位置与所述第二位置不同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人ASMIP控股有限公司,其通讯地址为:荷兰,阿尔梅勒;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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