恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所李杨获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利硅基集成量子芯片、制备及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112305670B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011409416.0，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权硅基集成量子芯片、制备及测试方法是由李杨;陶略;甘甫烷设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅基集成量子芯片、制备及测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅基集成量子芯片、制备及测试方法，将超导纳米线集成在硅波导的上方，使得超导纳米线与硅波导通过氧化硅覆盖层形成倏逝波耦合，可实现波导耦合的片上单光子探测；通过位于超导纳米线与硅波导之间的氧化硅覆盖层，可实现较高的倏逝波吸收率，且氧化硅覆盖层在生长超导纳米线时可充当掩膜，避免损伤硅波导，以降低硅波导的损耗；经CMP之后的具有较小的表面粗糙度的氧化硅覆盖层可确保超导纳米线的平整性，以减小暗计数，提高量子性能；可制备多通道的硅基集成量子芯片。本发明可实现集成化、规模化，并可靠保持高保真度的单光子信号的处理能力。
本发明授权硅基集成量子芯片、制备及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基集成量子芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供SOI基底，所述SOI基底包括自下而上依次堆叠的底硅层、氧化硅绝缘层及顶硅层；图形化所述顶硅层，形成硅波导，其中，形成所述氧化硅覆盖层的步骤包括：在所述硅波导的表面形成包覆所述硅波导的氧化硅覆盖层；减薄所述氧化硅覆盖层，使得位于所述硅波导上的所述氧化硅覆盖层的厚度为20nm~50nm，且所述氧化硅覆盖层的表面粗糙度小于1nm；形成包覆所述硅波导的氧化硅覆盖层；于所述氧化硅覆盖层上形成超导纳米线，且所述超导纳米线与所述硅波导通过所述氧化硅覆盖层形成倏逝波耦合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所，其通讯地址为：200050 上海市长宁区长宁路865号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号