恭喜三菱电机株式会社清井明获国家专利权
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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置的制造方法以及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116547788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080107673.0，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权半导体装置的制造方法以及半导体装置是由清井明;川畑直之;川上刚史设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法以及半导体装置在说明书摘要公布了：目的在于提供能够降低硅晶片之间的氧浓度的偏差的技术。半导体装置的制造方法具备：第1工序，在硅晶片的氧浓度小于预先决定的阈值的情况下，进行增大硅晶片的氧浓度的氧的导入，在硅晶片的氧浓度大于阈值的情况下，进行减小硅晶片的氧浓度的氧的导出；第2工序，形成第1面构造；第3工序，从第2面对硅晶片进行研磨；以及第4工序，形成第2面构造。
本发明授权半导体装置的制造方法以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，具备：第1工序，在硅晶片的氧浓度小于预先决定的阈值的情况下，进行增大所述硅晶片的氧浓度的氧的导入，在所述硅晶片的氧浓度大于所述阈值的情况下，进行减小所述硅晶片的氧浓度的氧的导出；第2工序，在所述第1工序后，在所述硅晶片的第1面形成第1面构造；第3工序，在所述第1工序后，从与所述第1面相反侧的第2面对所述硅晶片进行研磨；以及第4工序，在所述第3工序后，在所述硅晶片的所述第2面形成第2面构造。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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