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龙图腾网恭喜广东晶科电子股份有限公司申请的专利一种光谱增强型的发光器件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112802831B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011636769.4，技术领域涉及：H01L25/075；该发明授权一种光谱增强型的发光器件及制作方法是由林志平;曾照明;任剑锋;吴国锋;彭林康;林丽娜;高锦辉设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光谱增强型的发光器件及制作方法在说明书摘要公布了：一种光谱增强型的发光器件及制作方法，所述光谱增强型的发光器件，包括基板、带空腔结构的第一发光二极管单元，第二发光二极管单元，荧光粉胶体；第一发光二极管单元倒装设置于基板表面；第二发光二极管单元倒装设置于基板表面并处于第一发光二极管单元的空腔内部；荧光粉胶体覆盖在第一发光二极管单元表面。将多个不同发光二极管单元整合在一个更小的体积内，可以避免因为不同波长二极管单元在支架内的位置不同对荧光体激发位置差异造成的空间颜色分布不均匀和表面颜色差异；最后，单一的发光体中心，有利于封装光源整体面积的缩小，也方便二次光学设计。

本发明授权一种光谱增强型的发光器件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种光谱增强型的发光器件，其特征在于，包括基板、至少一带空腔结构的第一发光二极管单元，至少一第二发光二极管单元，荧光粉胶体；所述第一发光二极管单元发出的光具有第一波长，所述第二发光二极管单元发出的光具有第二波长；其中所述第一发光二极管单元倒装设置于基板表面；所述的荧光粉胶体覆盖在所述的第一发光二极管单元表面；在所述第一发光二极管单元和第二发光二极管单元上通过光刻、化学腐蚀、刻蚀、离子轰击、金属蒸镀、溅射制作适用于倒装工艺的P型电极、N型电极和空腔；所述第二发光二极管单元倒装设置于所述基板表面并处于所述第一发光二极管单元的空腔内部，所述第一发光二极管单元的空腔内部填充有导光材料，且所述导光材料包围所述第二发光二极管单元；所述导光材料的折射率介于所述第一发光二极管单元与所述第二发光二极管单元之间。

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