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龙图腾网恭喜江苏鲁汶仪器股份有限公司申请的专利一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724913B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110002167.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置是由张瑶瑶;刘小波;胡冬冬;张怀东;刘海洋;李娜;郭颂;李晓磊;许开东设计研发完成，并于2021-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置，包括均安装在刻蚀反应腔内的第一挡板和第二挡板；第一挡板为整圆板，能在第一挡板驱动装置的作用下，对离子源产生的离子束进行全遮挡；晶圆采用两次刻蚀，一次刻蚀为无挡板遮挡下的刻蚀，二次刻蚀为采用第二挡板遮挡的刻蚀；第二挡板的结构根据刻蚀工况进行选择，能在第二挡板驱动装置的作用下，对一次刻蚀时晶圆表面刻蚀速率快的区域进行遮挡，使得晶圆表面刻蚀速率保持一致。刻蚀工况包括低能工况、中能工况和高能工况。本发明通过两块挡板的配合刻蚀，从而提高晶圆成品的整体刻蚀均匀性，增加晶圆的利用率。

本发明授权一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置在权利要求书中公布了：1.一种改善刻蚀均匀性的双挡板装置，其特征在于：包括均安装在刻蚀反应腔内的第一挡板和第二挡板；第一挡板为整圆板，能在第一挡板驱动装置的作用下，对离子源产生的离子束进行全遮挡；晶圆采用两次刻蚀，一次刻蚀为无挡板遮挡下的刻蚀，二次刻蚀为采用第二挡板遮挡的刻蚀；第二挡板的结构根据刻蚀工况进行选择，能在第二挡板驱动装置的作用下，对一次刻蚀时晶圆表面刻蚀速率快的区域进行遮挡，使得晶圆表面刻蚀速率保持一致；刻蚀工况包括低能工况、中能工况和高能工况；当刻蚀工况为低能工况时，晶圆表面的刻蚀速率为低能中心区域大于低能边缘区，且沿着径向刻蚀速率逐渐降低；此时，第二挡板能对低能中心区域进行遮挡，避免离子束对晶圆的低能中心区域的过度刻蚀，对于低能边缘区，第二挡板遮挡区域由内向外逐渐减小；当刻蚀工况为中能工况时，晶圆表面的刻蚀速率为中能中心区域和中能边缘区域均较低，而中能中间区域的刻蚀速率较高；此时，第二挡板能对中能中间区域进行遮挡，方便对中能中心区域和中能边缘区域进行二次刻蚀；当刻蚀工况为高能工况时，晶圆表面的刻蚀速率为高能边缘区域最快，由高能边缘区域向高能中心区域逐渐降低；此时，通过设置第二挡板结构，对中心区域进行二次刻蚀。

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