恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张海洋获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823320B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110093860.4，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权半导体结构的形成方法是由张海洋;迟帅杰设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成导电结构材料层；在部分所述导电结构材料层上形成掩膜层；在所述掩膜层的侧壁面形成修复膜，所述修复膜表面的粗糙度低于所述掩膜层侧壁面的粗糙度；以所述掩膜层和修复膜为掩膜刻蚀所述导电结构材料层，以在所述衬底上形成若干导电结构。从而，提高了半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；所述衬底上形成有第一介质层；所述衬底包括第一区和第二区；所述第一介质层位于第一区和第二区上；在所述衬底上形成导电结构材料层；在部分所述导电结构材料层上形成掩膜层；在所述掩膜层的侧壁面形成修复膜，所述修复膜表面的粗糙度低于所述掩膜层侧壁面的粗糙度；以所述掩膜层和修复膜为掩膜刻蚀所述导电结构材料层，以在所述衬底上形成若干导电结构；若干所述导电结构中的至少1个位于所述第二区上；其中，在形成所述第一介质层的过程中，在所述第二区内和所述第一介质层内形成埋藏式电源导轨，所述第二区上的导电结构与所述埋藏式电源导轨连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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