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恭喜中国科学院微电子研究所耿玓获国家专利权

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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种μLED单元电路、其发光控制方法和像素装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114783352B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110089400.4,技术领域涉及:G09G3/32;该发明授权一种μLED单元电路、其发光控制方法和像素装置是由耿玓;苏悦;李泠;卢年端;刘明设计研发完成,并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种μLED单元电路、其发光控制方法和像素装置在说明书摘要公布了:本申请涉及一种μLED单元电路、其发光控制方法和像素电路,属于半导体技术领域,解决了现有GOA电路驱动速度有限,当分辨率较高时多次开启导致较长的一部分时间无法用于发光的问题。μLED单元电路包括:PWM信号生成电路、发光控制电路和μLED,PWM信号生成电路基于发光控制信号和比较参考信号生成具有不同脉冲宽度的PWM信号,比较参考信号为线性降低的斜坡信号;发光控制电路包括驱动晶体管,基于不同脉冲宽度的PWM信号控制驱动晶体管的导通时间以提供驱动电流;以及μLED基于驱动电流控制μLED的发光时间。实现像素内PAM和PWM驱动模式的结合,既兼容了传统驱动模式又满足高灰阶的数字调控。

本发明授权一种μLED单元电路、其发光控制方法和像素装置在权利要求书中公布了:1.一种μLED单元电路,其特征在于,包括:PWM信号生成电路、发光控制电路和μLED,其中,所述PWM信号生成电路,用于接收发光控制信号和比较参考信号并基于所述发光控制信号和所述比较参考信号生成具有不同脉冲宽度的PWM信号,其中,所述比较参考信号为线性降低的斜坡信号;所述发光控制电路,包括驱动晶体管,用于从所述PWM信号生成电路接收所述不同脉冲宽度的PWM信号并基于所述不同脉冲宽度的PWM信号控制所述驱动晶体管的导通时间以提供驱动电流;以及所述μLED,用于从所述发光控制电路接收所述驱动电流并基于所述驱动电流控制所述μLED的发光时间,其中,所述发光控制电路包括边沿校正电路和驱动电路,其中,所述边沿校正电路,用于接收所述不同脉冲宽度的PWM信号和所述发光控制信号并校正所述不同脉冲宽度的PWM信号的边沿陡峭度;以及所述驱动电路,用于基于校正的不同脉冲宽度的PWM信号控制驱动晶体管的导通时间以提供所述驱动电流;其中,所述边沿校正电路包括第七晶体管、第八晶体管和第二电容器,其中,所述第七晶体管的栅极与所述PWM信号生成电路中的反相器的输出端连接并经由所述第二电容器接收第二电源电压,所述第七晶体管的源极与所述第八晶体管的漏极连接,以及所述第七晶体管的漏极与第九晶体管的漏极连接;以及所述第八晶体管的栅极接收所述发光控制信号,所述第八晶体管的源极接收所述第二电源电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所,其通讯地址为:100029 北京市朝阳区北土城西路3号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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