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龙图腾网恭喜灿芯半导体(上海)股份有限公司申请的专利一种新型高速DDR发送电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112713892B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110091713.3，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权一种新型高速DDR发送电路是由孔亮;陈捷;刘亚东;庄志青设计研发完成，并于2021-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型高速DDR发送电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种新型高速DDR发送电路，包括两个PMOS管PM1、PM2和两个NMOS管NM1、NM2；PM1的源极接高电压VDDQ，漏极与PM2的源极相连，PM2的漏极与一电阻相连，电阻的另一端与输出垫片相连；PM1的栅极和控制线netp相连，netp通过反向器INV1与数据输入DIN相连，INV1与netp之间设有电容C；INV1的工作电压为低电压VDD，电容C和netp为PM1的栅极提供一个电压VDDL，以对PM1进行保护；NM1的源极接地，漏极与NM2的源极相连，NM2的漏极与电阻相连；NM1的栅极通过反向器INV2与数据输入DIN相连；采用速度较快的低压器件做主驱动电路及前驱动电路，同时利用时钟信号和开关电容在不额外大幅增加功耗的情况下制造一个电压来保证低压器件的安全性，有效提高了电路的工作速度。

本发明授权一种新型高速DDR发送电路在权利要求书中公布了：1.一种新型高速DDR发送电路，其特征在于：包括两个PMOS管PM1、PM2以及两个与PMOS管并联的NMOS管NM1、NM2；其中PM1的源极接高电压VDDQ，漏极与PM2的源极相连，PM2的漏极则与一电阻相连，电阻的另一端与输出垫片相连；PM1的栅极和控制线netp相连，netp通过反向器INV1与数据输入DIN相连，INV1与netp之间设有电容C；INV1的工作电压为低电压VDD，电容C和netp能为PM1的栅极提供一个电压VDDL，VDDL=VDDQ-VDD，以对PM1进行保护；NM1的源极接地，漏极与NM2的源极相连，NM2的漏极同样与所述电阻相连；NM1的栅极通过反向器INV2与数据输入DIN相连；PM2、NM2作为调节阻抗的静态开关，工作状态下为常开；netp包括并联设置的两个节点net1和net2；net1和net2的一端分别与电容C1和电容C2连接，另一端分别通过CLKN与输出垫片相连，且两个CLKN与输出垫片之间连接有一个接地的稳压电容C3；电容C1和net1之间通过CLK接高电压VDDQ，电容C1的另一端分别通过CLK接低电压VDD，通过CLKN接地；电容C2和net2之间通过CLK接地，电容C2的另一端分别通过CLK接低电压VDD，通过CLKN接高电压VDDQ；电容C的旁路设有两个并联设置的高压器件传输门，高压信号EL0H控制其中一个传输门把电压VDDL传至netp，高压信号EL1H控制另一个传输门把电压VDDQ传至netp，使INV1能通过电容C驱动netp在VDDQ和VDDL之间快速翻转；所述高压信号EL0H来自于DIN与DIN_E异或后和DIN_EB的相与后再和OEB相或，再经过电平转换为高后的信号；所述高压信号EL1H来自于DIN与DIN_E异或后和DIN_E的相与，再经过电平转换为高后的信号。

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