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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种SRAM芯片安全性能的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792547B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110099081.5，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权一种SRAM芯片安全性能的测试方法是由李博;苏泽鑫;宿晓慧;王磊;卜建辉;赵发展;韩郑生设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SRAM芯片安全性能的测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SRAM芯片安全性能的测试方法，属于芯片检测技术领域，解决了现有技术评估变量过于单一、无法准确衡量老化压印的问题。该方法包括步骤：对多个待测SRAM芯片上电，并对其存储阵列的背栅电压进行初始化，获得每一SRAM芯片的一次上电初值；向所有SRAM芯片写入统一数据，将写入统一数据后的SRAM芯片分组，每组设置不同的背栅电压，分别在不同辐照环境中保持预定时间；对所有SRAM芯片重新上电，获得每一SRAM芯片的二次上电初值；分别将不同辐照环境下的、不同组的每一SRAM芯片的二次上电初值、对应的一次上电初值输入至老化压印力度模型，获得不同辐照环境下每一SRAM芯片的老化压印力度，进而得到待测SRAM芯片的安全性能测试结果。

本发明授权一种SRAM芯片安全性能的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种SRAM芯片安全性能的测试方法，其特征在于，包括步骤：对多个待测SRAM芯片上电，对其存储阵列的背栅电压进行初始化，获得每一待测SRAM芯片初始化后的一次上电初值；向所有SRAM芯片写入统一数据，将写入统一数据后的SRAM芯片分组，每组设置不同的背栅电压，并分别在不同辐照环境中保持预定时间后断电；对所有SRAM芯片重新上电，获得每一SRAM芯片重新上电后的二次上电初值；分别将不同辐照环境下的、每组中每一SRAM芯片的二次上电初值、对应的一次上电初值输入至老化压印力度模型，获得不同辐照环境下每组中每一SRAM芯片的老化压印力度；根据上述不同辐照环境下的每组中每一SRAM芯片的老化压印力度，得到所述待测SRAM芯片的安全性能测试结果。

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