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龙图腾网恭喜信越半导体株式会社申请的专利单晶提拉装置及单晶提拉方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115244229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180020036.4，技术领域涉及：C30B29/06；该发明授权单晶提拉装置及单晶提拉方法是由高野清隆;菅原孝世;镰田洋之;小内骏英;太田友彦设计研发完成，并于2021-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本单晶提拉装置及单晶提拉方法在说明书摘要公布了：本发明是一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制在坩埚内的对流，超导线圈是鞍型形状，设有2组对置配置的鞍型形状的超导线圈的对，2组超导线圈的对中的2根所述线圈轴包含在相同的水平面内，在水平面内，在将提拉炉的中心轴的磁力线方向设为X轴时，2根线圈轴间的夹着X轴的中心角度α为100度以上、120度以下。由此，提供能够通过提高磁场产生效率来减小线圈高度，而能够将磁场中心提高至半导体原料的熔融液面附近，从而能够获得氧浓度比以往更低的单晶的单晶提拉装置及单晶提拉方法。

本发明授权单晶提拉装置及单晶提拉方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶提拉装置，具备：提拉炉，其配置有加热器及容纳熔融的半导体原料的坩埚，且具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置于该提拉炉的周围，且具有超导线圈，通过对所述超导线圈通电而对所述熔融的半导体原料施加水平磁场，从而抑制所述熔融的半导体原料在所述坩埚内的对流，其特征在于，所述磁场产生装置的所述超导线圈是以比沿着所述提拉炉的外形的形状的曲率大的曲率弯曲的鞍型形状，在所述提拉炉的周围设有2组对置配置的所述鞍型形状的超导线圈的对，所述鞍型形状的超导线圈的曲率相对于沿着所述提拉炉的外形的形状的曲率之比为1.2以上、2.0以下，在将通过该对置配置的成对的超导线圈的中心彼此的轴设为线圈轴时，该2组超导线圈的对中的2根所述线圈轴包含在相同的水平面内，在该水平面内，在将所述提拉炉的所述中心轴上的磁力线方向设为X轴时，2根所述线圈轴间的夹着所述X轴的中心角度α为100度以上、120度以下。

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