恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所佘小娟获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188776B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110359483.4，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法是由佘小娟;廖涵;赵瑛璇;仇超;甘甫烷设计研发完成，并于2021-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法，本发明将光电探测器与偏振分束器进行有效的结合形成8通道结构，降低了系统的偏振灵敏度，同时保持较低的损耗。8通道的设计，有效地提高了系统的带宽，满足大量数据传输的需求。本发明还对光电探测器的结构做出改进，将光电探测器的光敏层设计为圆台形，圆台形的光敏层均衡了电流传输与电流扩展这两方面的影响因素，保证光生载流子在极短的时间内扩散以使电路迅速导通。此外本发明还提供了一种通过该8通道结构测试其自身偏振隔离度的方法，通过光电探测器的光电流值得出系统的偏振隔离度，简化测试过程，同时避免测试光功率时造成的损耗等误差。
本发明授权基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构，其特征在于，所述8通道结构至少包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括依次叠置的硅衬底、电介质层及顶层硅，且所述SOI衬底包括偏振分束器区及光电探测器区；所述偏振分束器区包括图形化所述顶层硅获得的8个间隔排布的波导，所述波导包括依次连接的单模输入波导、双刻蚀波导及Y分支波导，所述Y分支波导包括第一分支波导及第二分支波导；所述光电探测器区包括16个光电管，16个所述光电管中包括与所述第一分支波导对应设置的8个第一光电管及与所述第二分支波导对应设置的8个第二光电管；二氧化硅包层，所述二氧化硅包层覆盖所述偏振分束器区及光电探测器区，以构成所述8通道结构。
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