恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所佘小娟获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113359233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110459989.2，技术领域涉及：G02B6/125；该发明授权基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法是由佘小娟;廖涵;赵瑛璇;仇超;甘甫烷设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法，该光分路器包括：自下而上依次设置的硅层、氧化硅层及氮化硅波导层；氮化硅波导层的中间部分形成有二维氮化硅光子晶体波导，两端分别形成有光栅发射器；二维氮化硅光子晶体波导包括一列沿氮化硅波导层长度方向呈周期性排布的圆形凹槽及中间部分氮化硅波导层；光栅发射器为半圆环形的同心环绕光栅且具有两个半圆环形镂空孔。采用氮化硅材料可应用的带宽大，且两个半圆环形镂空孔设计的氮化硅光栅光学损耗小，光出射效率高；另外，光分束器可实现对片外光波的收集同时对光波传输、分光形成片外出射光；最后，制备方法与CMOS工艺良好兼容，工艺简单，易于规模化生产。
本发明授权基于氮化硅光子晶体的光分路器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氮化硅光子晶体的光分路器，其特征在于，所述光分路器包括：自下而上依次设置的硅层、氧化硅层及氮化硅波导层；所述氮化硅波导层的中间部分形成有二维氮化硅光子晶体波导，所述氮化硅波导层的两端分别形成有光栅发射器；所述二维氮化硅光子晶体波导包括一列沿所述氮化硅波导层长度方向呈周期性排布的圆形凹槽及中间部分所述氮化硅波导层，所述圆形凹槽自所述氮化硅波导层表面延伸至所述氮化硅波导层内；所述光栅发射器为半圆环形的同心环绕光栅且具有两个半圆环形镂空孔，所述环形镂空孔自所述氮化硅波导层表面延伸至所述氧化硅层内。
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