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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利形成微电子装置的方法及相关微电子装置及电子系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113823633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110670320.8，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权形成微电子装置的方法及相关微电子装置及电子系统是由K·R·帕雷克设计研发完成，并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成微电子装置的方法及相关微电子装置及电子系统在说明书摘要公布了：本专利申请案涉及形成微电子装置的方法及相关微电子装置及电子系统。一种形成微电子装置的方法包括形成微电子装置结构，其包括：基底结构；掺杂半导电结构，其包括上覆于基底结构的第一部分及从第一部分垂直延伸到基底结构中的第二部分；堆叠结构，其上覆于掺杂半导电结构；单元支柱结构，其垂直延伸穿过堆叠结构到掺杂半导电结构；及数字线结构，其垂直上覆于堆叠结构。形成包括控制逻辑装置的额外微电子装置结构。将微电子装置结构附接到额外微电子装置结构以形成微电子装置结构组合件。移除载体结构及掺杂半导电结构的第二部分。接着，图案化掺杂半导电结构的第一部分以形成耦合到单元支柱结构的至少一个源极结构。还描述装置及系统。

本发明授权形成微电子装置的方法及相关微电子装置及电子系统在权利要求书中公布了：1.一种形成微电子装置的方法，其包括：形成微电子装置结构，所述微电子装置结构包括：基底结构；掺杂半导电结构，其包括上覆于所述基底结构的第一部分及从所述第一部分垂直延伸到所述基底结构中的第二部分；堆叠结构，其上覆于所述掺杂半导电结构且包括导电结构及绝缘结构的垂直交替序列；单元支柱结构，其垂直延伸穿过所述堆叠结构到所述掺杂半导电结构的所述第一部分；及数字线结构，其垂直上覆于所述堆叠结构；形成包括控制逻辑装置的额外微电子装置结构；将所述微电子装置结构附接到所述额外微电子装置结构以形成微电子装置结构组合件，所述数字线结构垂直插置于所述微电子装置结构组合件内的所述堆叠结构与所述控制逻辑装置之间；移除所述基底结构及所述掺杂半导电结构的所述第二部分以暴露所述掺杂半导电结构的第一部分；及在移除所述基底结构及所述掺杂半导电结构的所述第二部分之后图案化所述掺杂半导电结构的所述第一部分以在所述堆叠结构之上形成耦合到所述单元支柱结构的至少一个源极结构。

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