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龙图腾网恭喜武汉科技大学申请的专利一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113705134B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110988802.8，技术领域涉及：G06F30/32；该发明授权一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路是由尚涛;甘朝晖;余磊设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路在说明书摘要公布了：本发明具体涉及一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路。其技术方案是：浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路由四个电流传输器和五个阻抗元件组成，结构简单，在不改变电路拓扑结构的情况下，通过改变第一阻抗元件3、第二阻抗元件5、第三阻抗元件1、第四阻抗元件6和第五阻抗元件8的元件类型，能将任意一种接地型分数阶记忆元件转换成任意一种浮地型分数阶记忆元件，通用性强；浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路在端子A和端子B之间施加激励电压信号vt后，能够保证端子A的电流i1t和端子B的电流i2t相等，使用时浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A和端子B都能与其他电路中的元件进行任意连接，灵活性高。

本发明授权一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路在权利要求书中公布了：1.一种浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路，其特征在于所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路由第三阻抗元件1、第一电流传输器2、第一阻抗元件3、第二电流传输器4、第二阻抗元件5、第四阻抗元件6、第四电流传输器7、第五阻抗元件8和第三电流传输器9组成；浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路分别设有浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A、浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子B和浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子GND；所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A和第一电流传输器2的端子E1i连接，第一电流传输器2的端子E1o和第一阻抗元件3的端子Z11连接，第一电流传输器2的端子E1-和第三阻抗元件1的端子Z31连接，第一电流传输器2的端子E1+和第四电流传输器7的端子E4o连接，第四电流传输器7的端子E4-和第五阻抗元件8的端子Z52连接，第四电流传输器7的端子E4i和第四阻抗元件6的端子Z42连接，第四电流传输器7的端子E4+和第二电流传输器4的端子E2o连接；所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子B和第三电流传输器9的端子E3i连接，第三电流传输器9的端子E3-和第三阻抗元件1的端子Z32连接，第三电流传输器9的端子E3o和第二电流传输器4的端子E2+连接，第二电流传输器4的端子E2-和第一阻抗元件3的端子Z12连接，第二电流传输器4的端子E2i和第二阻抗元件5的端子Z21连接；所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子GND与第二阻抗元件5的端子Z22、第三电流传输器9的端子E3+、第四阻抗元件6的端子Z41、第五阻抗元件8的端子Z51分别连接；所述第一阻抗元件3为电阻、电容和电感中的一种，所述第三阻抗元件1为电阻、电容和电感中的一种，所述第二阻抗元件5为电阻、电容、电感和接地型分数阶记忆元件中的一种，所述第四阻抗元件6为电阻、电容、电感和接地型分数阶记忆元件中的一种，所述第五阻抗元件8为电阻、电容、电感和接地型分数阶记忆元件中的一种；所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子A和浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路的端子B之间的等效阻抗ZABt为： 式1中：Z1表示第一阻抗元件3的阻抗值，Z2表示第二阻抗元件5的阻抗值，Z3表示第三阻抗元件1的阻抗值，Z4表示第四阻抗元件6的阻抗值，Z5表示第五阻抗元件8的阻抗值；a凡符合下述条件之一时，所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路为浮地型分数阶忆阻器的等效电路：条件1：第五阻抗元件8为接地型分数阶忆阻器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第二阻抗元件5为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第四阻抗元件6为电阻、电容、电感中的一种，无量纲；条件2：第二阻抗元件5为接地型分数阶忆容器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第四阻抗元件6为电阻、电容、电感中的一种，第五阻抗元件8为电阻、电容、电感中的一种，的量纲为条件3：第四阻抗元件6为接地型分数阶忆容器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第二阻抗元件5为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第五阻抗元件8为电阻、电容、电感中的一种，的量纲为条件4：第五阻抗元件8为接地型分数阶忆感器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第二阻抗元件5为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第四阻抗元件6为电阻、电容、电感中的一种，的量纲为b凡符合下述条件之一时，所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路为浮地型分数阶忆容器的等效电路：条件1：第二阻抗元件5为接地型分数阶忆阻器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第四阻抗元件6为电阻、电容、电感中的一种，第五阻抗元件8为电阻、电容、电感中的一种，的量纲为条件2：第四阻抗元件6为接地型分数阶忆阻器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第二阻抗元件5为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第五阻抗元件8为电阻、电容、电感中的一种，的量纲为条件3：第五阻抗元件8为接地型分数阶忆容器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第二阻抗元件5为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第四阻抗元件6为电阻、电容、电感中的一种，无量纲；条件4：第二阻抗元件5为接地型分数阶忆感器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第四阻抗元件6为电阻、电容、电感中的一种，第五阻抗元件8为电阻、电容、电感中的一种，的量纲为条件5：第四阻抗元件6为接地型分数阶忆感器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第二阻抗元件5为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第五阻抗元件8为电阻、电容、电感中的一种，的量纲为c凡符合下述条件之一时，所述浮地型分数阶记忆元件的通用等效电路为浮地型分数阶忆感器的等效电路：条件1：第五阻抗元件8为接地型分数阶忆阻器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第二阻抗元件5为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第四阻抗元件6为电阻、电容、电感中的一种，的量纲为条件2：第二阻抗元件5为接地型分数阶忆容器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第四阻抗元件6为电阻、电容、电感中的一种，第五阻抗元件8为电阻、电容、电感中的一种，的量纲为条件3：第四阻抗元件6为接地型分数阶忆容器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第二阻抗元件5为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第五阻抗元件8为电阻、电容、电感中的一种，的量纲为条件4：第五阻抗元件8为接地型分数阶忆感器，第一阻抗元件3为电阻、电容、电感中的一种，第二阻抗元件5为电阻、电容、电感中的一种，第三阻抗元件1为电阻、电容、电感中的一种，第四阻抗元件6为电阻、电容、电感中的一种，无量纲。

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