恭喜广州芯之联科技有限公司吴奔雷获国家专利权
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龙图腾网恭喜广州芯之联科技有限公司申请的专利基于NOR Flash芯片的擦写掉电数据保护方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903386B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111125981.9，技术领域涉及：G11C16/16；该发明授权基于NOR Flash芯片的擦写掉电数据保护方法及系统是由吴奔雷;梁毅宏;夏锋;李俊杰设计研发完成，并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于NOR Flash芯片的擦写掉电数据保护方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了基于NORFlash芯片的擦写掉电数据保护方法及系统，该方法包括以下步骤：获取Flash芯片的设备配置信息及子区域边界信息，存储于Flash芯片的设备链表节点，采用掉电易失方式配置Flash为独立块保护模式，并解除Flash芯片所有区域的保护状态；接收到擦除写入请求，预先锁定所有区域，启用全保护，根据擦除写入请求通过区域解析得出待操作的子区域，依次对待操作的子区域的各个区块或扇区进行解锁，根据待操作的子区域的加解锁保护粒度执行擦除写入操作；擦写操作完成，解除所有区域的保护状态，并反馈擦写操作状态信息。本发明可以在不改变用户擦写预期的情况下，尽可能的减小保护区域的颗粒度，达到保护区域的最大化。
本发明授权基于NOR Flash芯片的擦写掉电数据保护方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于NORFlash芯片的擦写掉电数据保护方法，其特征在于，包括以下步骤：获取Flash芯片的设备配置信息及子区域边界信息，存储于所述Flash芯片的设备链表节点，采用掉电易失方式配置Flash为独立块保护模式，并解除Flash芯片所有区域的保护状态；接收到擦除写入请求，预先锁定所有区域，启用全保护，根据所述擦除写入请求通过区域解析得出待操作的子区域，依次对所述待操作的子区域的各个区块或扇区进行解锁，根据所述待操作的子区域的加解锁保护粒度执行擦除写入操作；擦写操作完成，解除所有区域的保护状态，并反馈擦写操作状态信息。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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