恭喜高通股份有限公司D·赛思获国家专利权
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龙图腾网恭喜高通股份有限公司申请的专利使用置位复位锁存器驱动字线的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116348954B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180071067.2，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权使用置位复位锁存器驱动字线的系统和方法是由D·赛思;A·C·科塔;H·李;郑春明;梁斌设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用置位复位锁存器驱动字线的系统和方法在说明书摘要公布了：一种存储器设备，包括：存储器位单元的第一核；存储器位单元的第二核；预解码电路系统，由第一核和第二核共享；以及行解码器，耦合到预解码电路系统、第一核和第二核，行解码器包括第一置位复位SR锁存器和第二SR锁存器，第一置位复位SR锁存器耦合到第一核的第一字线，第二SR锁存器耦合到第二核的第二字线。
本发明授权使用置位复位锁存器驱动字线的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，包括：存储器位单元的第一核；存储器位单元的第二核；预解码电路系统，由所述第一核和所述第二核共享；以及行解码器，耦合到所述预解码电路系统、所述第一核和所述第二核，所述行解码器包括第一置位复位SR锁存器和第二SR锁存器，所述第一SR锁存器经由第一反相器耦合到所述第一核的第一字线，所述第二SR锁存器经由第二反相器耦合到所述第二核的第二字线，其中所述第一SR锁存器包括：第一晶体管，耦合到功率轨并且经由第二晶体管耦合到所述第一反相器的输入，所述第一晶体管的栅极耦合到所述第一字线，以及第三晶体管，耦合到所述第一反相器的所述输入并且经由第四晶体管耦合到地，所述第三晶体管的栅极耦合到所述第一字线。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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