恭喜南京理工大学张俊举获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京理工大学申请的专利一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极及其构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972288B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111210171.3，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极及其构建方法是由张俊举;曹俊杰;田春英;沙娓娓;王勇;郝广辉;陈若曦设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极及其构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极及其构建方法，所述光电阴极包括纳米孔阵列、GaAs发射层和Cs\O吸附层，所述纳米孔阵列构建在GaAs发射层的上表面，所述Cs\O吸附层构建于GaAs发射层的下表面。本发明通过等效介质理论，可以将纳米孔阵列等效成一层新的介质，这层新介质的折射率介于真空与GaAs材料之间，能够缓解两者的折射率突变，降低入射光的反射率，提高GaAs发射层对于光的吸收率，从而有效增强光电阴极的性能，可应用于微光像增强器、电子显微镜和新型太阳能电池等领域。
本发明授权一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极及其构建方法在权利要求书中公布了：1.一种增强光吸收的纳米孔结构光电阴极，其特征在于，包括GaAs发射层、纳米孔阵列及Cs\O激活层，其中，纳米孔阵列刻蚀在GaAs发射层的上表面，Cs\O激活层吸附在GaAs发射层的下表面，光从纳米孔阵列上方入射；纳米孔阵列为二维周期性点阵排列，GaAs发射层的材料为砷化镓，材料为P型掺杂，掺杂浓度为1*10-19cm-3，掺杂原子为Zn，GaAs发射层的厚度为1000nm，纳米孔阵列所用材料与GaAs发射层一致，纳米孔阵列的孔径深度范围为0-400nm，占空比的范围为0.25-1，最小周期的范围为0-400nm。
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