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龙图腾网恭喜琻捷电子科技(江苏)股份有限公司申请的专利过压保护电路及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284990B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111636041.6，技术领域涉及：H02H3/20；该发明授权过压保护电路及装置是由刘明;薛珂;李曙光设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本过压保护电路及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种过压保护电路及装置，该电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管以及电平转化电路；当该外部信号端的电压高于该目标芯片的承载电压时，该电平转化电路输出预设电压；该预设电压与该外部信号端的电压存在压差，控制该第五PMOS管和该第六PMOS管导通，该第二PMOS管和该第四PMOS管关闭，以实现该目标芯片的过压保护。该电路只通过单一种类的耐高压PMOS管就可以实现芯片的过压保护，从而降低对NMOS器件的工艺的依赖。

本发明授权过压保护电路及装置在权利要求书中公布了：1.一种过压保护电路，其特征在于，所述电路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管以及电平转化电路；所述第一PMOS管的源极与目标芯片的外部信号端相连；所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极相连；所述第一PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极相连；所述第二PMOS管的漏极与目标芯片内部信号端相连；所述第二PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极相连；所述第三PMOS管的源极与所述第四PMOS管的漏极相连；所述第三PMOS管的栅极与所述第六PMOS管的源极相连；所述第四PMOS管的栅极与所述第六PMOS管的源极相连；所述第五PMOS管的栅极与所述第六PMOS管的栅极与所述电平转化电路相连；所述第五PMOS管的漏极与所述第一PMOS管的栅极以及所述第二PMOS管的栅极相连；所述第五PMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极以及所述第二PMOS管的源极相连；所述六PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极以及所述第四PMOS管的漏极相连；当所述外部信号端的电压高于所述目标芯片的承载电压时，所述电平转化电路输出预设电压；所述预设电压与所述外部信号端的电压存在压差，控制所述第五PMOS管和所述第六PMOS管导通，所述第二PMOS管和所述第四PMOS管关闭，以实现所述目标芯片的过压保护；其中，所述电平转化电路包括：NMOS管、钳位二极管和第一电阻；所述NMOS管的栅极连接外设的报警电路；所述NMOS管的源极接地；所述NMOS管的漏极连接所述第一电阻；所述第一电阻连接所述钳位二极管的正极；所述钳位二极管的负极与所述外部信号端相连；当所述外部信号端的电压高于所述目标芯片的承载电压范围时，所述外设的报警电路输出所述NMOS管的导通信号；所述NMOS管导通，所述钳位二极管的正极输出所述预设电压。

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